[發明專利]一種半導體器件的制備方法

有效

• 申請號: 201110046790.3
• 申請日: 2011-02-25
• 公開（公告）號: CN102651321A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 周華杰;徐秋霞
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/762
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種半導體器件的制備方法，包括：

在半導體襯底上形成局部埋層隔離介質層；

在所述局部埋層隔離介質層上方的硅襯底上形成鰭片；

在所述鰭片頂部和側面形成柵堆疊結構；

在所述柵堆疊結構兩側的鰭片中形成源/漏結構；

金屬化。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在半導體襯底上形成局部埋層隔離介質層的步驟包括：

在半導體襯底上形成介質層；

刻蝕所述介質層在半導體襯底形成凹槽；

采用高能離子注入向半導體襯底內注入氧離子并高溫退火形成局部埋層隔離介質層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述介質層包括SiO₂、TEOS或Si₃N₄，厚度為200-1000nm。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述采用高能離子注入向半導體襯底內注入氧離子并高溫退火形成局部埋層隔離介質層步驟中，所述局部埋層隔離介質層的厚度為50-200nm。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述局部埋層隔離介質層上方的硅襯底上形成鰭片的步驟包括：

電子束曝光負性抗蝕劑并刻蝕所述局部埋層隔離介質層上方的硅襯底至埋層隔離介質層以嵌入所述半導體襯底形成至少兩個凹槽，所述凹槽之間形成鰭片。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述局部埋層隔離介質層上方的硅襯底，厚度為20-100nm；所述鰭片的厚度為10-60nm。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在所述鰭片頂部和側面形成柵堆疊結構的步驟包括：

在鰭片的頂部和側面形成柵介質層和柵電極材料；

光刻、刻蝕形成柵電極堆疊結構。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述柵堆疊結構兩側的鰭片中形成源/漏結構之前，所述方法進一步包括：

進行傾角離子注入，以在所述鰭片中形成源/漏延伸區；或

進行傾角離子注入，以在所述鰭片中形成暈環注入區。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在柵堆疊結構兩側的鰭片中形成源/漏結構步驟包括：

在鰭片的兩側形成側墻；

離子注入形成源漏摻雜；

形成源漏硅化物。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，其中，所述半導體襯底為體硅襯底。