[發明專利]一種半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201110045404.9 | 申請日： | 2011-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN102651397A | 公開（公告）日： | 2012-08-29 |
| 發明（設計）人： | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人： | 鄭瑜生 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
提供半導體襯底；
在所述半導體襯底上形成絕緣層；
在所述絕緣層上形成石墨烯層；
在所述石墨烯層上形成柵極結構；
以所述柵極結構為掩膜，在所述半導體襯底中形成摻雜區。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底材料為硅時，所述絕緣層材料為氧化硅。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，以離子注入工藝形成所述摻雜區。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，對于NMOS器件，注入的摻雜粒子為As或P；對于PMOS器件，注入的摻雜粒子為B或BF2。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述摻雜區后，還包括：在所述石墨烯層和所述半導體襯底之間施加電場。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，對于NMOS器件，所述電場為正向電場；對于PMOS器件，所述電場為負向電場。
7.一種半導體器件，包括：
半導體襯底；
柵極結構，所述柵極結構形成于石墨烯層上，所述石墨烯層位于絕緣層上，所述絕緣層位于所述半導體襯底上；
感應摻雜區，所述感應摻雜區位于所述柵極結構兩側且嵌于所述石墨烯層表層；
摻雜區，所述摻雜區位于所述柵極結構兩側且嵌于所述半導體襯底表層。
8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于：所述半導體襯底材料為硅時，所述絕緣層材料為氧化硅。
9.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，對于NMOS器件，所述摻雜區中包含As或P；對于PMOS器件，所述摻雜區中包含B或BF2。
10.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述感應摻雜區和所述摻雜區的導電類型相同。
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