[發明專利]透明導電性薄膜、其制造方法以及具備其的觸摸面板

無效

• 申請號: 201110043077.3
• 申請日: 2008-01-18
• 公開（公告）號: CN102097159A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 梨木智剛;菅原英男
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;B32B15/08;G06F3/041
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李貴亮

1.一種透明導電性薄膜，其是在透明的薄膜基材的單面或兩面上，經由至少兩層底涂層地具有透明導電體層的透明導電性薄膜，其特征在于，

所述透明導電體層被圖案化，而且在不具有所述透明導電體層的非圖案部具有所述至少兩層底涂層，從透明的薄膜基材開始第一層的底涂層的厚度為100～220nm且該第一層的底涂層由有機物形成。

2.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，

底涂層至少具有兩層，至少離透明的薄膜基材最遠的底涂層由無機物形成。

3.根據權利要求2所述的透明導電性薄膜，其特征在于，

由無機物形成的底涂層為SiO₂膜。

4.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，

透明導電體層的折射率與底涂層的折射率的差為0.1以上。

5.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，

已被圖案化的透明導電體層經由兩層底涂層地設置，

從透明的薄膜基材開始第一層的底涂層的折射率n為1.5～1.7，厚度d為100～220nm，

從透明的薄膜基材開始第二層的底涂層的折射率n為1.4～1.5，厚度d為20～80nm，

透明導電體層的折射率n為1.9～2.1，厚度d為15～30nm，

所述各層的光學厚度n×d的總和為208～554nm。

6.根據權利要求5所述的透明導電性薄膜，其特征在于，

已被圖案化的透明導電體層和兩層底涂層的所述光學厚度的總和、與非圖案部的底涂層的光學厚度的差Δnd為40～130nm。

7.一種透明導電性薄膜，其特征在于，

以在至少單面上配置已被圖案化的所述透明導電體層的方式，經由透明的粘合劑層，至少疊層兩片權利要求1所述的透明導電性薄膜。

8.一種透明導電性薄膜，其特征在于，

以在單面上配置已被圖案化的所述透明導電體層的方式，在權利要求1所述的透明導電性薄膜的單面上，經由透明的粘合劑層，貼合透明基體。

9.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特征在于，

被用于觸摸面板。

10.根據權利要求9所述的透明導電性薄膜，其特征在于，

觸摸面板為靜電電容結合方式的觸摸面板。

11.一種透明導電性薄膜的制造方法，其是權利要求1～10中任一項所述的透明導電性薄膜的制造方法，其特征在于，包括：

配制在透明的薄膜基材的單面或兩面經由至少兩層底涂層地具有透明導電體層的透明導電性薄膜的工序；以及

利用酸來蝕刻所述透明導電體層從而圖案化的工序。

12.根據權利要求11所述的透明導電性薄膜的制造方法，其特征在于，

在圖案化透明導電體層的工序之后，具有退火處理已被圖案化的透明導電體層從而使其結晶化的工序。

13.一種觸摸面板，其特征在于，

具備權利要求1～10中任一項所述的透明導電性薄膜。