[發明專利]線路組件有效
| 申請號: | 201110042223.0 | 申請日: | 2006-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN102157494A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 林茂雄;羅心榮;周秋明;周健康 | 申請(專利權)人: | 米輯電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/532 | 分類號: | H01L23/532;H01L23/00 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線路 組件 | ||
本申請為以下申請的分案申請:
原申請的申請號:200610099491.5
原申請的申請日:2006年7月24日
原申請的發明名稱:連續電鍍制作線路組件的方法及線路組件結構
技術領域
本發明涉及一種線路組件,特別涉及一種覆蓋聚醯亞胺(polyimide,PI)的連續電鍍成型結構。
背景技術
現今大多的半導體組件是用來處理數字資料,然而也有部分的半導體組件整合有模擬的功能,如此半導體組件便可以同時處理數字資料及模擬資料,或者半導體組件亦可以僅具有模擬的功能。制造模擬電路的主要困難點之一是在于許多用于模擬電路的電子組件甚大,難以與次微米極的電子組件整合,尤其是針對被動組件而言,此乃因為被動組件的尺寸過于龐大。
美國專利公告第5,212,403號(Nakanishi)公開一種形成線路聯機的方法,其中內部及外部的線路聯機是形成在位于芯片上的線路基底內,并且邏輯線路的設計會取決于線路聯機的長度。
美國專利公告第5,501,006號(Gehman,Jr.et?al.)公開一種集成電路與線路基底之間具有絕緣層的結構,而藉由分散出去的引腳可以是芯片的接點與基板的接點電性連接。
美國專利公告第5,055,907號(Jacobs)公開一種整合型半導體結構,可以允許制造商將一薄膜多層線路形成在支撐基板上或芯片上,藉以整合位在芯片外的電路。
美國專利公告第5,106,461號(Volfson?et?al.)公開一種多層聯機結構,其是藉由TAB結構并利用聚醯亞胺(polyimide)的介電層及金屬層交互疊合于芯片上而成。
美國專利公告第5,635,767號(Wenzel?et?al.)公開一種在PBGA結構中降低電阻電容遲緩效應的方法,其中多層金屬層是分開配置。
美國專利公告第5,686,764號(Fulcher)公開一種覆晶基板,藉由將電源線與輸入輸出引線分開配置,可以降低電阻電容遲緩效應。
美國專利公告第6,008,102號(Alford?et?al.)公開一種利用兩層金屬層所形成的螺旋狀電感組件,其中此兩層金屬層可以利用導通孔連接。
美國專利公告第5,372,967號(Sundaram?et?al.)公開一種螺旋狀電感組件。
美國專利公告第5,576,680號(Ling)及第5,884,990號(Burghartz?et?al.)公開一種其它形式的螺旋狀電感組件。
美國專利公告第6,383,916號公開一種芯片結構具有重配置線路層及金屬聯機層,是配置在介電層上,其中介電層是位于傳統芯片的保護層上。保護層是位于集成電路上,而厚的聚合物層是選擇性地配置在保護層上,寬的或厚的金屬聯機是位在保護層上。
美國專利公告第6,303,423號公開一種形成具有高感應系數的電感組件于芯片的保護層上的結構。此種具有高感應系數的電感組件可以應用在高頻電路中,并且可以減少電能的損耗。在此案中,還公開電容組件及電阻組件,可以形成在硅基底的表面上,藉以減少位于硅基底下的電子組件所引發出的寄生效應。
美國專利公告第6,869,870號(Lin)公開一種變壓器形成在晶圓的保護層上。
有鑒于此,本發明是針對上述被動組件各種技術,提出一種連續電鍍制作線路組件的方法及線路組件結構,用以應用在半導體被動組件領域上。
發明內容
本發明的主要目的是在于提供一種連續電鍍制作線路組件的方法及線路組件結構,其是在保護層上具有一線圈線路層的半導體芯片,其中頂層線圈線路層可以承受高電壓高電流,且控制頂層線圈線路層的電流變化可以產生一感應電動勢以感應其它線圈。
本發明的另一目的是在于提供一種連續電鍍制作線路組件的方法及線路組件結構,其是公開數種在線圈上以連續電鍍方式形成對外的接點,比如形成接墊(pad)、凸塊(bump)等,此接墊及凸塊皆可透過打線或異方式導電膠電連接至外界電路上,使半導體組件的應用更具多元化連接方式。
為了本發明上述的目的,提出一種線路組件結構,包括一半導體基底;一細聯機結構,位在該半導體基底上;一保護層,位在該細聯機結構上;一金線路層,位在該保護層上,該金線路層具有一接墊;一鎳層,位在該接墊上;一焊料層,位在該鎳層上。
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