[發明專利]半導體襯底隔離的形成方法

無效

• 申請號: 201110041586.2
• 申請日: 2011-02-21
• 公開（公告）號: CN102646622A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張磊

1.一種半導體襯底隔離的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上依次形成第一氧化物層和氮化物層；

在所述氮化物層和第一氧化物層中形成開口，以暴露部分區域的所述半導體襯底；

從所述開口處向所述半導體襯底注入氧離子；

執行退火操作，以使所述部分區域中至少表層所述半導體襯底形成第二氧化物層；

去除所述氮化物層和所述第一氧化物層。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底包括體硅襯底、硅鍺襯底、絕緣體上硅襯底或絕緣體上硅鍺襯底。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一氧化物層的方法包括：氧化所述半導體襯底表層，或者，在所述半導體襯底上淀積第一氧化物層。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，注入氧離子時的注入能量為10KeV-150KeV，注入劑量為2E17-2E18個離子/cm²。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，以至少兩次離子注入操作注入氧離子。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，利用所述第二氧化物層作為隔離區。

7.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述開口的尺寸小于所述隔離區的尺寸。

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，執行所述退火操作時的工藝參數包括：退火溫度為800℃-1200℃，退火時間為3小時-6小時。

9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，以氫氟酸執行所述去除操作、或者先以熱磷酸去除所述氮化物層再以氫氟酸去除所述第一氧化物層。