[發明專利]制造印刷電路板的方法

無效

• 申請號: 201110040982.3
• 申請日: 2011-02-17
• 公開（公告）號: CN102573331A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 李錫元;張兌銀;樸浩植;孫暻鎮
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H05K3/40
• 分類號: H05K3/40
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳小蓮;王鳳桐

相關申請的交叉引用

本申請要求于2010年12月21日提交的、名稱為“制造印刷電路板的方法(Method?Of?Manufacturing?Printed?Circuit?Board)”的韓國專利申請No.10-2010-0131347的優先權，其在此全部通過引用合并到本申請中。

技術領域

本發明涉及一種制造印刷電路板的方法。

背景技術

隨著電子工業的近期發展，對電子器件的高性能和小型化的需求日益增加。因此，在安裝有電子元件的印刷電路板上實現高密度電路圖案的研究和開發已經得到了開展。

將參照圖1到3描述根據現有技術制造印刷電路板的方法。

首先，如圖1所示，制作基底基板(base?substrate)10，該基底基板10包括與內過孔(inner?via)11一起形成的芯層(core?layer)13和在芯層13的一個表面或兩個表面形成的內電路層15。此后，絕緣層20被堆疊在所述基底基板10的兩個表面上，并且導通孔(via?hole)25使用激光加工。

然后，如圖2所示，在導通孔25的內壁和絕緣層20的暴露的表面形成種層(seed?layer)27，且將抗鍍劑(plating?resist)30施用于種層27的表面。然后，圖案化抗鍍劑30以打開一個區域，在此區域中形成電路圖案41(見圖3)或連接盤(land)43(見圖3)。

然后，如圖3所示，鍍覆所述導通孔25(見圖2)形成過孔45，在從抗鍍劑30(見圖2)暴露的種層27上形成外電路層40。把所述種層27用作引腳線(lead?line)通過電鍍形成所述外電路層40，且在外電路層40形成后，將所述抗鍍劑30和被外電路層40暴露的所述種層27都去除。

根據現有技術制造印刷電路板的方法有以下問題：

首先，在絕緣層20里加工導通孔25的工序，以及施用和圖案化抗鍍劑30以便打開形成連接盤43的區域的工序是分別進行的。在這種情況下，由于用于形成所述導通孔25的加工設備的加工誤差，以及用于形成電路圖案41和連接盤43的抗鍍劑30的曝光設備的加工誤差，導致過孔45和連接盤43之間的匹配值下降，由此產生的結果是：層間的導電可靠性下降。

此外，根據現有技術所述印刷電路板的連接盤43通常形成為從所述絕緣層20突出；但是，形成的所述連接盤43的面積應當大于所述導通孔25的上部面積以便確保層間導電的可靠性。連接盤43的尺寸根據所述導通孔可加工性和電路的匹配能力來確定。但是，連接盤43的尺寸通常占用印刷電路板的相當大的面積(七倍或更多倍于導通孔的上部面積)，因此，這成為實現高集成/高密度印刷電路板的一種障礙。

發明內容

本發明提供了一種制造印刷電路板的方法，該方法在實現高集成/高密度印刷電路板時，同時形成過孔和連接盤，因此提高過孔和連接盤的匹配值，從而確保層間導電的可靠性。

根據本發明一個優選實施方式，本發明提供一種制造印刷電路板的方法，該方法包括：(A)提供基底基板，該基底基板包括第一絕緣層和形成于該第一絕緣層的兩個表面的內電路層，該內電路層包括電路圖案和焊盤部分(pad?part)；(B)將第一抗鍍劑施用于基底基板的兩個表面，并圖案化第一抗鍍劑以形成開口，以便暴露焊盤部分；(C)形成金屬柱，該金屬柱包括通過鍍覆法在上述開口內形成的過孔和從該過孔延伸并從所述第一抗鍍劑的被暴露表面突出的突出部分，該突出部分的直徑大于過孔的直徑；(D)在去除第一抗鍍劑之后，堆疊第二絕緣層于基底基板的兩個表面上以便嵌入所述金屬柱；和(E)通過拋光第二絕緣層和突出部分、暴露被嵌入第二絕緣層的突出部分的橫切面(traverse?surface)而形成嵌入式的連接盤。

本方法可以進一步包括(F)在所述第二絕緣層上形成外電路層。

所述基底基板可以進一步包括穿透所述第一絕緣層以與所述焊盤部分電連接的內過孔。

在步驟(C)中，所述突出部分從所述第一抗鍍劑突出的厚度可以為30-60μm。

在步驟(E)中，所述嵌入式的連接盤可以通過將所述突出部分拋光成厚度為10-30μm而形成。

步驟(A)可以包括：(A1)在所述第一絕緣層中形成通孔；(A2)在包括所述通孔的所述第一絕緣層上形成第一種層；和(A3)通過采用把所述第一種層用作引線的電鍍法而在所述第一絕緣層中形成內電路層，并通過鍍覆所述通孔的內部而形成內過孔。

步驟(D)可以進一步包括：在去除第一抗鍍劑后，去除從內電路層暴露的所述第一種層。