[發明專利]單元集合中的單元及其制造方法

無效

• 申請號: 201110037537.1
• 申請日: 2008-08-21
• 公開（公告）號: CN102194799A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 薩姆·齊昆·趙;鐘重華;雷澤厄·拉曼·卡恩
• 申請（專利權）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L21/78
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 蔡曉紅

本申請是申請日為2008年8月21日、申請號為200810213690.3、發明創造名稱為“單元集合中的單元及其制造方法”的中國發明申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及集成電路封裝，更具體地說，涉及防止裂紋蔓延造成集成電路封裝損壞。

背景技術

在制造集成電路(IC)封裝過程中，通常多個單元(例如基片、IC芯片等)同時制造。然后在切割分離工序中將每一個單元從單元集合中分離出來。然而，在這種切割分離工序中，當壓力施加到單元區域上時，常常會損壞單元。具體地，施加壓力所產生的裂紋可能引起電路跡線、電路連接器、電子器件、IC部件和其它要件失去功效。

隨著產量不斷增大，防止裂紋損壞條帶上的一個或更多單元顯得更加重要。此外，由于單元尺寸變小，單元集合的密度增大，使得裂紋嚴重損壞一個或更多單元的可能性增加。

因此，需要一種防止裂紋蔓延造成單元損壞的方法和系統。

發明內容

本發明介紹一種使用防護結構來防止單元損壞的系統和方法。在一個實施例中，單元集合中的單元包括功能區域和防護結構，該防護結構用于防止裂紋蔓延至所述功能區域中。

根據本發明的一方面，提供一種單元集合中的單元，包括

功能區域；及

防止裂紋蔓延至所述功能區域的防護結構。

作為優選，所述防護結構用于防止切割分離工序中造成的裂紋蔓延至所述功能區域。

作為優選，所述防護結構形成在所述單元在切割分離工序中的受壓區域。

作為優選，所述防護結構沿所述單元集合的單元之間的邊界形成。

作為優選，所述防護結構包括在所述單元表面形成的圖案。

作為優選，所述防護結構包括從以下形式中選擇的圖案：網格、多根線條和多個剖切面(plane)。(參見第8頁，第12行)

作為優選，所述防護結構包括金屬材料。

作為優選，所述單元包括多層，其中所述表面是第一層的表面，所述防護結構還包括在第二層的表面形成的第二圖案。

作為優選，所述防護結構還包括導通孔(via)，所述導通孔將所述第一層表面形成的圖案與所述第二層表面形成的圖案相連接。

作為優選，所述功能區域包括電路跡線(circuit?trace)，其中所述圖案包括與所述電路線跡相同的成分(element，但后面的實施例中提及composition)。

作為優選，所述防護結構包括多條導通孔。

作為優選，所述多條導通孔中的導通孔至少是電鍍導通孔或填充導通孔中的一種。

作為優選，所述多條導通孔中的導通孔包括金屬。

作為優選，所述功能區域包括導通孔，其中所述多根導通孔中的導通孔與所述功能區域的導通孔相同。

作為優選，所述多根導通孔中的導通孔位于所述單元集合的單元之間的一個或多個邊界處。

作為優選，設置所述多根導通孔是用于吸收或反射裂紋能量。

作為優選，所述防護結構還包括多個水平板層(slab)。

作為優選，所述防護結構包括暴露電鍍區域。

作為優選，所述暴露電鍍區域用于防止所述單元的焊接掩模(solder?mask)撕裂(tear)。

作為優選，所述暴露電鍍區域包括金屬。

作為優選，所述暴露電鍍區域包括耐腐蝕材料。

作為優選，所述暴露電鍍區域包括矩形區域或三角形區域中的一種。

作為優選，所述防護結構包括所述單元的焊接掩模中的縫隙。

作為優選，所述縫隙用于將剝落或撕裂限制在遠離功能區域的區域。

作為優選，所述縫隙形成在所述單元的邊角部分。

作為優選，所述單元為基片。

作為優選，所述防護結構用于增強所述單元的一部分。

作為優選，所述防護結構用于反射或吸收裂紋能量。

作為優選，所這防護結構用于削弱所述單元的一部分。

作為優選，所述防護結構用于限制裂紋。

作為優選，所述防護結構包括縫隙。

作為優選，所述縫隙靠近所述單元集合的單元之間的邊界。

作為優選，所述單元是集成電路芯片且所述單元集合是晶圓。

作為優選，所述防護結構包括晶圓密封圈(seal?ring)。

作為優選，所述晶圓密封圈包括多根導通孔。

作為優選，所述晶圓密封圈還包括多個水平層板。

根據本發明的一方面，提供一種制造單元條帶(strip)中的單元的方法，包括：

形成功能區域；及

形成用于防止裂紋蔓延至所述功能區域中的防護結構。