[發(fā)明專利]電介質(zhì)陶瓷組合物的制造方法和電子部件的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110036019.8
• 申請日: 2011-02-09
• 公開（公告）號: CN102190493A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小島隆;柴崎智也
• 申請（專利權(quán)）人: TDK株式會社
• 主分類號: C04B35/49
• 分類號: C04B35/49;C04B35/468;C04B35/622;H01G4/30;H01G4/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔡曉菡;高旭軼

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電介質(zhì)陶瓷組合物的制造方法和電子部件的制造方法，進(jìn)而詳細(xì)地，涉及制造電介質(zhì)陶瓷組合物和電介質(zhì)層中具有該電介質(zhì)陶瓷組合物的電子部件的方法，所述電介質(zhì)陶瓷組合物即使在容量溫度特性的絕對值大的情況下，也可以在寬的溫度范圍，使容量變化率相對于該絕對值為規(guī)定的范圍。

背景技術(shù)

所謂VR(Voltage?Regulator，調(diào)壓器)，是使驅(qū)動筆記本型電腦等的CPU的DC/DC轉(zhuǎn)換器的電壓恒定的裝置。該VR的輸出電流通過感應(yīng)器的電阻(Rdc)檢測。但是，由于發(fā)熱等，Rdc發(fā)生變化，由此有檢測值產(chǎn)生誤差的問題，期望在寬的溫度范圍能夠正常使用。

因此，現(xiàn)狀是采用通過使用NTC熱敏電阻來補(bǔ)正誤差的方法。

此外，VR裝置的回路中通常使用電容器，例如，通過使用具有-5000ppm/℃左右的絕對值大的容量溫度特性的電容器，認(rèn)為可以補(bǔ)正該誤差。通過使用該方法，不需要NTC熱敏電阻，具有成本上的優(yōu)點(diǎn)。

但是，由于期望電容器的容量溫度特性的絕對值小(容量變化相對于溫度變化小)，現(xiàn)狀是幾乎沒有容量溫度特性的絕對值大的電容器的報道。并且，即使是通常的電容器的容量溫度特性的絕對值最大的情況，也不過是-1000ppm/℃或者350ppm/℃左右。

日本實(shí)開平5-61998號公報中公開了具有-1500～-5000ppm/℃的容量溫度特性、進(jìn)而使用含有SrTiO₃20～95重量％的陶瓷作為電介質(zhì)的陶瓷電容器。但是，日本實(shí)開平5-61998號公報的陶瓷電容器的電介質(zhì)層的組成有不明的部分，對于其它成分完全沒有記載。此外，也沒有記載在怎樣的溫度范圍下能夠具有上述的容量溫度特性。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于這樣的現(xiàn)狀，本發(fā)明目的是提供制造電介質(zhì)陶瓷組合物和電介質(zhì)層中具有該電介質(zhì)陶瓷組合物的電子部件的方法，所述電介質(zhì)陶瓷組合物即使在容量溫度特性的絕對值大的情況下，也可以在寬的溫度范圍，使容量變化率相對于該絕對值為規(guī)定的范圍。

本發(fā)明人為了實(shí)現(xiàn)上述目的進(jìn)行了努力研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過使用組成不同的多種原料作為主成分的原料，可以制造具有大的容量溫度特性(例如-7000～-3000ppm/℃)的電介質(zhì)陶瓷組合物，從而完成了本發(fā)明。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物的制造方法，是制造具有用通式(Ba_1-x-ySr_xCa_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的主成分的電介質(zhì)陶瓷組合物的方法，其特征在于，具有：

準(zhǔn)備用通式(Ba_1-x1-ySr_x1Ca_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的第1主成分的原料和用通式(Ba_1-x2-ySr_x2Ca_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的第2主成分的原料的工序、

將上述第1主成分的原料和上述第2主成分的原料混合，得到上述主成分的原料的工序、

將上述主成分的原料進(jìn)行燒成的工序，

在上述主成分的摩爾數(shù)為1、上述第1主成分的摩爾數(shù)為a、上述第2主成分的摩爾數(shù)為b時，a+b＝1、a∶b＝20∶80～80∶20，

上述x、x1、x2、a和b滿足0.20≤x≤0.40、x＝(ax1+bx2)、x1/x2≥1.05的關(guān)系，

上述y滿足0≤y≤0.20，

上述z滿足0≤z≤0.30，

上述m滿足0.950≤m≤1.050。

優(yōu)選上述電介質(zhì)陶瓷組合物具有：

包含Mg的氧化物的第1副成分、

包含選自Mn或Cr的至少1種元素的氧化物的第2副成分、

包含R的氧化物(其中，R為選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho和Yb中的至少1種)的第3副成分，和

包含含有Si的氧化物的第4副成分，

相對于上述主成分100摩爾，各副成分的比率為：

第1副成分：0.5～5摩爾，以元素?fù)Q算，

第2副成分：0.05～2摩爾，以元素?fù)Q算，

第3副成分：1～8摩爾，以元素?fù)Q算，

第4副成分：0.5～5摩爾，以氧化物、或復(fù)合氧化物換算。