[發明專利]電介質陶瓷組合物的制造方法和電子部件的制造方法

無效

• 申請號: 201110036019.8
• 申請日: 2011-02-09
• 公開（公告）號: CN102190493A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 小島隆;柴崎智也
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: C04B35/49
• 分類號: C04B35/49;C04B35/468;C04B35/622;H01G4/30;H01G4/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔡曉菡;高旭軼

1.電介質陶瓷組合物的制造方法，其是制造具有用通式(Ba_1-x-ySr_xCa_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的主成分的電介質陶瓷組合物的方法，其特征在于，具有：

準備用通式(Ba_1-x1-ySr_x1Ca_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的第1主成分的原料和用通式(Ba_1-x2-ySr_x2Ca_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的第2主成分的原料的工序、

將上述第1主成分的原料和上述第2主成分的原料混合，得到上述主成分的原料的工序、

將上述主成分的原料進行燒成的工序，

在上述主成分的摩爾數為1、上述第1主成分的摩爾數為a、上述第2主成分的摩爾數為b時，a+b＝1、a∶b＝20∶80～80∶20，

上述x、x1、x2、a和b滿足0.20≤x≤0.40、x＝(ax1+bx2)、x1/x2≥1.05的關系，

上述y滿足0≤y≤0.20，

上述z滿足0≤z≤0.30，

上述m滿足0.950≤m≤1.050。

2.根據權利要求1所述的電介質陶瓷組合物的制造方法，其中，

上述電介質陶瓷組合物具有：

包含Mg的氧化物的第1副成分、

包含選自Mn或Cr中的至少1種元素的氧化物的第2副成分、

包含R的氧化物的第3副成分，其中，R為選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho和Yb中的至少1種，和

包含含有Si的氧化物的第4副成分，

相對于上述主成分100摩爾，各副成分的比率為：

第1副成分：0.5～5摩爾，以元素換算、

第2副成分：0.05～2摩爾，以元素換算、

第3副成分：1～8摩爾，以元素換算、

第4副成分：0.5～5摩爾，以氧化物或復合氧化物換算。

3.根據權利要求2所述的電介質陶瓷組合物的制造方法，其中，上述電介質陶瓷組合物相對于上述主成分100摩爾，以各元素換算，含有0～0.2摩爾第5副成分，所述第5副成分包含選自V、Mo、W、Ta和Nb中的至少1種元素的氧化物。

4.電子部件的制造方法，其是制造具有電介質層和電極層的電子部件的方法，其特征在于，

上述電介質層由具有用通式(Ba_1-x-ySr_xCa_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的主成分的電介質陶瓷組合物構成，

具有：

準備用通式(Ba_1-x1-ySr_x1Ca_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的第1主成分的原料和用通式(Ba_1-x2-ySr_x2Ca_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的第2主成分的原料的工序、

將上述第1主成分的原料和上述第2主成分的原料混合，得到上述主成分的原料的工序、

形成含有上述主成分的原料的燒成前電介質層的工序、和

將上述燒成前電介質層進行燒成的工序，

在上述主成分的摩爾數為1、上述第1主成分的摩爾數為a、上述第2主成分的摩爾數為b時，a+b＝1、a∶b＝20∶80～80∶20，

上述x、x1、x2、a和b滿足0.20≤x≤0.40、x＝(ax1+bx2)、x1/x2≥1.05的關系，

上述y滿足0≤y≤0.20，

上述z滿足0≤z≤0.30，

上述m滿足0.950≤m≤1.050。