[發明專利]MOS器件制備方法有效
| 申請號： | 201110035584.2 | 申請日： | 2011-02-10 |
| 公開（公告）號： | CN102637600A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發明（設計）人： | 唐樹澍 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 器件 制備 方法 | ||
1.一種MOS器件制備方法，其特征在于，采用同一掩膜版實現源/漏區域的離子注入和LDD離子注入，其中，所述源/漏區域的離子注入先于所述LDD離子注入完成，所述源/漏區域的離子注入同時以多晶硅柵側墻作為掩膜。
2.根據權利要求1所述的MOS器件制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
(1)提供一半導體襯底，以STI定義有源器件區域并進行阱區離子注入；
(2)制備形成多晶硅柵及第一側墻；
(3)旋涂光刻膠，并圖形化暴露出需進行離子注入的區域；
(4)進行所述源/漏區域的離子注入；
(5)去除所述第一側墻，并進行所述LDD離子注入；
(6)去除所述光刻膠，制備形成多晶硅柵第二側墻。
3.根據權利要求2所述的MOS器件制備方法，其特征在于，所述步驟(2)具體包括以下步驟：
(201)依次沉積柵氧化層、多晶硅層，并刻蝕形成多晶硅柵；
(202)快速熱氧化形成第一氧化層；
(203)依次沉積第二氧化層、阻擋層；
(204)形成多晶硅柵第一側墻。
4.根據權利要求3所述的MOS器件制備方法，其特征在于，所述阻擋層為二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、含碳硅氧化物中的一種或任意幾種的復合結構。
5.根據權利要求4所述的MOS器件制備方法，其特征在于，所述阻擋層刻蝕速率遠小于所述多晶硅柵第一側墻的刻蝕速率。
6.根據權利要求3所述的MOS器件制備方法，其特征在于，所述第二氧化層厚度為所述阻擋層厚度為
7.根據權利要求1～6所述的MOS器件制備方法，其特征在于，所述阱區離子注入為第一半導體類型的離子注入；所述源/漏區域的離子注入為第二半導體類型的高濃度離子注入；所述LDD離子注入為第二半導體類型的輕摻雜離子注入。
8.根據權利要求7所述的MOS器件制備方法，其特征在于，所述第一半導體類型為N型，所述第二半導體類型為P型。
9.根據權利要求7所述的MOS器件制備方法，其特征在于，所述第一半導體類型為P型，所述第二半導體類型為N型。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
