[發明專利]集成電路以及集成電路方法

有效

• 申請號: 201110035473.1
• 申請日: 2011-01-28
• 公開（公告）號: CN102347066A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 鄧儒杰;許國原
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;劉文意

1.一種集成電路，包括：

一靜態隨機存取存儲器陣列，耦接至一第一電壓供應節點以及一第二電壓供應節點，上述第一以及第二電壓供應節點提供一保存電壓跨接于上述靜態隨機存取存儲器陣列；

一電流限制器，配置于上述靜態隨機存取存儲器陣列以及上述第一電壓供應節點之間；以及

一電壓調整器，并聯耦接上述電流限制器于上述靜態隨機存取存儲器陣列以及上述第一電壓供應節點之間，上述電壓調整器用以維持上述保存電壓高于一既定電平。

2.如權利要求1所述的集成電路，其中上述電流限制器包括一MOS晶體管，上述MOS晶體管具有耦接至一偏壓的一柵極，且上述電壓調整器包括：一運算放大器，上述運算放大器具有一第一輸入端耦接至位于上述靜態隨機存取存儲器陣列和上述電流限制器間的一節點，以及一第二輸入端用以接收一參考電壓；以及

一MOS晶體管，上述MOS晶體管具有耦接至上述節點的一源極，耦接至上述第一電壓節點的一漏極，以及耦接至上述運算放大器的一輸出端的一柵極，

其中上述運算放大器根據上述節點的電壓以及上述參考電壓的一電壓差提供一輸出電壓至上述MOS晶體管的上述柵極，用以選擇性地導通上述MOS晶體管以及設定上述MOS晶體管的驅動強度，以維持上述保存電壓高于上述既定電平。

3.如權利要求2所述的集成電路，還包括一電平移位器或一電壓分壓器用以提供上述參考電壓至上述電壓調整器。

4.一種集成電路，包括：

一靜態隨機存取存儲器陣列，耦接至一第一電壓供應節點以及一第二電壓供應節點，上述第一以及第二電壓供應節點提供一保存電壓跨接于上述靜態隨機存取存儲器陣列；

一電流限制器，具有一第一MOS晶體管配置于上述靜態隨機存取存儲器陣列以及上述第一電壓供應節點之間；以及

一電壓調整器，并聯耦接上述電流限制器于上述靜態隨機存取存儲器陣列以及上述第一電壓供應節點之間，且包括一運算放大器以及一第二MOS晶體管，上述運算放大器具有一第一輸入端耦接至上述靜態隨機存取存儲器陣列和上述電流限制器間的一節點，以及一第二輸入端用以接收一參考電壓，且上述運算放大器的一輸出耦接至上述第二MOS晶體管的一柵極，

其中上述電流調整器根據上述靜態隨機存取存儲器陣列和上述電流限制器間的上述節點的電壓與上述參考電壓的一電壓差提供一切換電壓至上述第二MOS晶體管的上述柵極，用以維持上述保存電壓高于一既定電平。

5.如權利要求4所述的集成電路，還包括一電壓電平移位器耦接至上述運算放大器的上述第二輸入，以提供上述參考電壓，且上述電壓電平移位器根據上述第一電壓供應節點的電壓以及上述既定電平的電壓提供上述參考電壓。

6.如權利要求4所述的集成電路，其中上述第一電壓供應節點設為低電壓電位，第二電壓供應節點設為高電壓電位，以及上述第一和第二MOS晶體管為NMOS晶體管，或是上述第一電壓供應節點設為高電壓電位，第二電壓供應節點設為低電壓電位，以及上述第一和第二MOS晶體管為PMOS晶體管。

7.一種集成電路方法，包括：

檢測一節點的一節點電壓，上述節點耦接于一靜態隨機存取存儲器陣列以及一電流限制器之間；

比較上述節點電壓以及一參考電壓；以及

當上述節點電壓高于上述參考電壓時，汲入上述節點的電流，使跨于上述靜態隨機存取存儲器陣列的一保存電壓維持一既定電平之上。

8.如權利要求7所述的集成電路方法，其中于汲入上述節點的電流的步驟中，包括提供一切換電壓至一MOS晶體管的一柵極，上述MOS晶體管耦接至上述節點，上述切換電壓將上述MOS晶體管轉換為導通狀態，使MOS晶體管的一源極以及一漏極之間電流流通。

9.如權利要求7所述的集成電路方法，其中一電壓調整器檢測上述節點的電壓，還包括從一電壓分壓器或一電平移位器提供上述參考電壓至上述電壓調整器，且其中上述電壓調整器包括一運算放大器，上述運算放大器具有一第一輸入端耦接至上述節點，以及一第二輸入端用以接收上述參考電壓。

10.如權利要求7所述的集成電路方法，其中上述電流限制器包括一NMOS晶體管耦接至上述節點以及一設為低電壓電位的一電壓供應節點，或是上述電流限制器包括一PMOS晶體管耦接至上述節點以及一設為高電壓電位的一電壓供應節點。