[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110034657.6
• 申請日: 2011-02-10
• 公開（公告）號: CN102638001A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪梓健;徐智鵬;沈佳輝
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01S5/323
• 分類號: H01S5/323
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種二極管，尤其涉及一種半導(dǎo)體激光器以及一種半導(dǎo)體激光器的制作方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的半導(dǎo)體激光器一般為在基板上成長磊晶層，磊晶層包括一個P型半導(dǎo)體層、一個N型半導(dǎo)體層、以及設(shè)置在該P型半導(dǎo)體層與該N型半導(dǎo)體層之間的活性層。通常，該P型半導(dǎo)體層與該N型半導(dǎo)體層為六方晶系半導(dǎo)體材料，如氮化鎵(GaN)。將該磊晶層切割成多個晶粒，從而形成多個半導(dǎo)體激光器。每個半導(dǎo)體激光器包括兩個相互平行的側(cè)面，以作為半導(dǎo)體激光器的共振腔面。然而，由于半導(dǎo)體激光器的半導(dǎo)體層為六方晶系半導(dǎo)體材料，在切割過程中，很難使該兩個側(cè)面垂直于PN結(jié)面且相互平行，從而影響半導(dǎo)體激光器的性能。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種諧振腔具有平整端面的半導(dǎo)體激光器。

一種半導(dǎo)體激光器，其包括N型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層以及設(shè)置在該N型半導(dǎo)體層與該P型半導(dǎo)體層之間的活性層。該N型半導(dǎo)體層具有一個遠離該活性層的第一表面。該P型半導(dǎo)體層具有一個遠離該活性層的第二表面。該半導(dǎo)體激光器包括位于該第一表面與該第二表面之間的兩個相對的側(cè)面。該N型半導(dǎo)體層與該P型半導(dǎo)體層均為六方晶系半導(dǎo)體層。該半導(dǎo)體激光器的兩個側(cè)面上形成有兩個四方晶系半導(dǎo)體層。每一四方晶系半導(dǎo)體層具有遠離與之對應(yīng)的側(cè)面的一個外表面，該兩個四方晶系半導(dǎo)體層的兩個外表面相互平行，以構(gòu)成該半導(dǎo)體激光器的諧振腔的兩端面。

一種半導(dǎo)體激光器的制作方法，其包括：提供一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括N型六方晶系半導(dǎo)體層、活性層、以及P型六方晶系半導(dǎo)體層，該N型六方晶系半導(dǎo)體層具有一個遠離該活性層的第一表面，P型六方晶系半導(dǎo)體層具有一個遠離該活性層的第二表面，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括位于該第一表面與該第二表面之間的兩個相對的側(cè)面；在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的兩個側(cè)面上分別成長四方晶系半導(dǎo)體層，每一個四方晶系半導(dǎo)體層具有遠離與之對應(yīng)的側(cè)面的一個外表面，該兩個四方晶系半導(dǎo)體層的兩個外表面相互平行，以構(gòu)成該半導(dǎo)體激光器的諧振腔的兩端面。

相比六方晶系半導(dǎo)體，四方晶系半導(dǎo)體具有側(cè)向成長特性，因此，通過控制成長條件，可以使兩個四方晶系半導(dǎo)體層的兩個外表面成長為平整面，從而作為半導(dǎo)體激光器諧振腔的兩端面。

進一步地，由于四方晶系半導(dǎo)體層通過等離子體蝕刻拋光、劈裂等方法制作的劈裂面為鏡面，其表面粗糙度一般小于20納米。四方晶系半導(dǎo)體層劈裂面比六方晶系半導(dǎo)體層的劈裂面平整，適合作為半導(dǎo)體激光器的諧振腔的端面。因此，本發(fā)明利用兩個四方晶系半導(dǎo)體層的兩個外表面作為半導(dǎo)體激光器諧振腔的兩端面，其相比六方晶系半導(dǎo)體層具有較好的平整度，可以有效地提高該半導(dǎo)體激光器的性能。并且，四方晶系半導(dǎo)體層制作鏡面的制作工藝簡單。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例提供的半導(dǎo)體激光器的立體示意圖。

圖2是圖1中的半導(dǎo)體激光器沿II-II的剖面示意圖。

圖3是圖1中的半導(dǎo)體激光器沿III-III的剖面示意圖。

圖4是本發(fā)明實施例提供的半導(dǎo)體激光器的制作方法的流程圖。

主要元件符號說明

半導(dǎo)體激光器????????????100

N型電極????????????????????????10

N型半導(dǎo)體層????????????????????20

下表面?????????????????????????21

P型半導(dǎo)體層????????????????????40

上表面?????????????????????????41

活性層?????????????????????????30

P型電極????????????????????????50

第一側(cè)面???????????????????????101

第二側(cè)面???????????????????????102

第三側(cè)面???????????????????????103

第四側(cè)面???????????????????????104

第一四方晶系半導(dǎo)體層???????????60

第一表面???????????????????????61

第二四方晶系半導(dǎo)體層???????????70

第二表面????????????????????????71

具體實施方式