[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110034657.6
• 申請日: 2011-02-10
• 公開（公告）號: CN102638001A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪梓健;徐智鵬;沈佳輝
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01S5/323
• 分類號: H01S5/323
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導(dǎo)體激光器，其包括N型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層以及設(shè)置在該N型半導(dǎo)體層與該P(yáng)型半導(dǎo)體層之間的活性層，該N型半導(dǎo)體層具有一個(gè)遠(yuǎn)離該活性層的第一表面，該P(yáng)型半導(dǎo)體層具有一個(gè)遠(yuǎn)離該活性層的第二表面，該半導(dǎo)體激光器包括位于該第一表面與該第二表面之間的兩個(gè)相對的側(cè)面，其特征在于：該N型半導(dǎo)體層與該P(yáng)型半導(dǎo)體層均為六方晶系半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體激光器進(jìn)一步包括形成在該兩個(gè)側(cè)面上的兩個(gè)四方晶系半導(dǎo)體層，每一四方晶系半導(dǎo)體層具有遠(yuǎn)離與之對應(yīng)的側(cè)面的一個(gè)外表面，該兩個(gè)四方晶系半導(dǎo)體層的兩個(gè)外表面相互平行，以構(gòu)成該半導(dǎo)體激光器的諧振腔的兩端面。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，該N型半導(dǎo)體層與該P(yáng)型半導(dǎo)體層中至少一者的材料包括氮化鎵。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，該四方晶系半導(dǎo)體層為氮化硅層或者二氧化鈦層。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，該四方晶系半導(dǎo)體層的折射系數(shù)與該N型半導(dǎo)體層及該P(yáng)型半導(dǎo)體層的折射系數(shù)相同。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，該四方晶系半導(dǎo)體層通過電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法形成在該磊晶結(jié)構(gòu)的兩個(gè)側(cè)面上。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，每一個(gè)外表面的表面粗糙度小于20納米。

7.一種半導(dǎo)體激光器的制作方法，其包括：

提供一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括N型六方晶系半導(dǎo)體層、活性層、以及P型六方晶系半導(dǎo)體層，該N型六方晶系半導(dǎo)體層具有一個(gè)遠(yuǎn)離該活性層的第一表面，P型六方晶系半導(dǎo)體層具有一個(gè)遠(yuǎn)離該活性層的第二表面，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括位于該第一表面與該第二表面之間的兩個(gè)相對的側(cè)面；

在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的兩個(gè)側(cè)面上分別成長四方晶系半導(dǎo)體層，每一個(gè)四方晶系半導(dǎo)體層具有遠(yuǎn)離與之對應(yīng)的側(cè)面的一個(gè)外表面，該兩個(gè)四方晶系半導(dǎo)體層的兩個(gè)外表面相互平行，以構(gòu)成該半導(dǎo)體激光器的諧振腔的兩端面。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，該P(yáng)型六方晶系半導(dǎo)體層與該N型六方晶系半導(dǎo)體層中至少一者為氮化鎵層。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，該四方晶系半導(dǎo)體層為氮化硅層或者二氧化鈦層。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，該四方晶系半導(dǎo)體層的折射系數(shù)與該N型半導(dǎo)體層與該P(yáng)型半導(dǎo)體層的折射系數(shù)相同。

11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，該四方晶系半導(dǎo)體層通過電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法形成在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的兩個(gè)側(cè)面上。

12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，該兩個(gè)四方晶系半導(dǎo)體層的兩個(gè)外表面經(jīng)過等離子體蝕刻拋光或劈裂處理。