[發明專利]晶片級模封接合結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201110034288.0
• 申請日: 2011-02-01
• 公開（公告）號: CN102543969A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 陸蘇財;莊敬業;林育民
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/00;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/98
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種模封接合結構，包含：

第一芯片，包含第一芯背、第一芯面和多個第一芯側，該第一芯面上有多個第一芯面凸塊；

第二芯片，包含第二芯背及第二芯面，其中該第二芯背上包含多個第二芯背凸塊，該第二芯面上包含多個第二芯面凸塊；

多個貫穿電極，位于該第二芯片中，分別電導通這些第二芯背凸塊和這些第一芯面凸塊；以及

粘著材料，置于該第一芯片和該第二芯片之間，并同時完全包覆該第一芯片的這些第一芯側；

其中該第一芯片中的該第一芯面凸塊電連接至該第二芯片中的該第二芯背凸塊。

2.如權利要求1所述的模封接合架構，其中該第一芯片還包含多個第二貫穿電極，該第一芯背還包含多個第一芯背凸塊，這些第二貫穿電極位于該第一芯片中，分別電導通這些第一芯面凸塊與這些第一芯背凸塊。

3.如權利要求1所述的模封接合架構，其中這些芯面凸塊與芯背凸塊為電鍍金屬或無電鍍金屬其中之一。

4.如權利要求1所述的模封接合架構，其中在這些第一芯背凸塊與該第二芯片的第二芯面之間還包含一絕緣層(dielectric?layer)。

5.如權利要求1所述的模封接合架構，其中該粘著材料在這些芯側具有相同厚度。

6.如權利要求1所述的模封接合架構，其中該第一芯片厚度小于或等于100微米(um)但大于5微米。

7.如權利要求1所述的模封接合架構，其中當該粘著材料包含多個導電顆粒時，該第一芯片的第一芯面凸塊通過這些導電顆粒電連接至該第二芯片的該第二芯背凸塊。

8.如權利要求7所述的模封接合架構，其中該粘著材料中還包含高分子膠材，且該高分子膠材中包含多個非導電顆粒。

9.一種晶片級模封接合結構，包含：

晶片，包含第一芯背及第一芯面，其中該第一芯背上包含多個芯背凸塊，該第一芯面上包含多個芯面凸塊，該晶片還包含多個第一貫穿電極，分別電導通這些芯背凸塊和這些芯面凸塊；以及

多個堆疊結構，其中每一該堆疊結構包含：

第一芯片，包含第二芯背、第二芯面和多個第二芯側，該第二芯面上有多個第一電極；以及

粘著材料，置于該第一芯片和該晶片之間，并同時完全包覆該第一芯片的這些第一芯側。

10.如權利要求9所述的晶片級模封接合架構，中該第一芯片還包含多個第二貫穿電極，位于該第一芯片中，分別電導通這些第一電極。

11.如權利要求10所述的晶片級模封接合架構，其中該第一芯片的第二芯背還包含多個芯背電極，以電導通這些第二貫穿電極。

12.如權利要求11所述的晶片級模封接合架構，其中每一該堆疊結構還包含第二芯片，該第二芯片包含第三芯背、第三芯面和多個第三芯側，該第三芯面上有多個第二電極，其中，這些第二電極電連接至該第一芯片的這些芯背電極，且該粘著材料完全包覆該第二芯片的這些第三芯側。

13.如權利要求9所述的晶片級模封接合架構，其中這些芯面凸塊為電鍍金屬或無電鍍金屬其中之一。

14.如權利要求9所述的晶片級模封接合架構，其中在這些芯背凸塊與該第一芯片的該第二芯背之間還包含絕緣層(dielectric?layer)。

15.如權利要求9所述的晶片級模封接合架構，其中該粘著材料在這些芯側具有相同厚度。

16.如權利要求9所述的晶片級模封接合架構，其中當該粘著材料包含多個導電顆粒時，該晶片的芯背凸塊通過這些導電顆粒電連接至該第一芯片的該第一電極。

17.如權利要求16所述的晶片級模封接合架構，其中該粘著材料包含高分子膠材，且該高分子膠材包含多個非導電顆粒。