[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于AC/DC轉(zhuǎn)換器的高壓啟動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110034079.6
• 申請日: 2011-01-31
• 公開（公告）號: CN102097928A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏云凱;雷晗
• 申請（專利權(quán)）人: 西安民展微電子有限公司
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;劉偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于AC/DC轉(zhuǎn)換器的高壓啟動電路。?

背景技術(shù)

隨著人類社會的不斷進(jìn)步和發(fā)展，對能源的消耗越來越大，同時(shí)造成的污染也越來越嚴(yán)重。在能源日益緊張和環(huán)保要求不斷提高的今天，各行各業(yè)都對自己產(chǎn)品的能耗提出了更加嚴(yán)格的要求。在競爭激烈的電源領(lǐng)域，電源設(shè)計(jì)者們都在不斷地更新自己的設(shè)計(jì)，使自己的設(shè)計(jì)能夠達(dá)到更低的能耗需求，以期在激烈的市場競爭中占據(jù)一席之地。?

如圖1所示，為現(xiàn)有的反激式電源典型應(yīng)用的電路示意圖。圖中的電阻R_S連接于AC經(jīng)過整流和濾波后的高壓端和電源電壓VCC端之間，為外接電容Cext提供充電通路。當(dāng)R_S太大時(shí)，充電電流就會太小，導(dǎo)致AC/DC轉(zhuǎn)換器的啟動時(shí)間太長；當(dāng)R_S太小時(shí)，充電電流較大，雖然AC/DC轉(zhuǎn)換器的啟動時(shí)間減小了，但是AC/DC轉(zhuǎn)換器的待機(jī)功耗會增加，因?yàn)锳C/DC轉(zhuǎn)換器啟動后，R_S上的電流依然存在。所以在兼顧啟動時(shí)間和待機(jī)損耗的基礎(chǔ)上，一般在應(yīng)用時(shí)R_S選在MΩ(兆歐)級。即使這樣，當(dāng)AC輸入在220V時(shí)，R_S上的功耗也有幾十毫瓦到上百毫瓦。?

由此可知，現(xiàn)有的反激式電源中的AC/DC轉(zhuǎn)換器在啟動時(shí)，無法確保既能減少啟動時(shí)間，又能降低待機(jī)損耗。?

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種應(yīng)用于AC/DC轉(zhuǎn)換器的高壓啟動電路，在可加快AC/DC轉(zhuǎn)換器的啟動的同時(shí)，也可有效降低AC/DC轉(zhuǎn)換器的待機(jī)損耗。?

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于AC/DC轉(zhuǎn)換器的高壓啟動電路，所述高壓啟動電路包括：恒流電路和恒流關(guān)斷電路，其中

所述恒流電路10，用于通過負(fù)反饋的控制方式設(shè)定恒定電流，利用所述恒定電流為所述AC/DC轉(zhuǎn)換器的電源電壓VCC的外接電容Cext充電；?

所述恒流關(guān)斷電路20，用于在所述電源電壓(VCC)上升到啟動閾值UVLO_OFF時(shí)，關(guān)斷所述恒流電路10，停止為所述外接電容Cext充電；當(dāng)所述電源電壓VCC下降到關(guān)斷閾值UVLO_ON時(shí)，打開所述恒流電路10，開始為所述外接電容Cext充電。?

優(yōu)選的，所述恒流電路10包括：第一NMOS晶體管M1、第二NMOS晶體管M2、限流降壓器件、第二電阻R2和二極管D1，其中?

所述第一NMOS晶體管M1的漏極和所述限流降壓器件的一端分別接高電壓HV，所述第一NMOS晶體管M1的柵極和所述限流降壓器件的另一端相連，并接所述第二NMOS晶體管M2的漏極；?

所述第一NMOS晶體管M1的源極和所述第二NMOS晶體管M2的柵極相連，并接所述第二電阻R2的一端；?

所述第二電阻R2的另一端和所述第二NMOS晶體管M2的源極相連，并接二極管D1的陽極；?

所述二極管D1的陰極接所述外接電容Cext的正極；所述外接電容Cext的負(fù)極接地。?

優(yōu)選的，所述第二電阻R2阻值的大小與所述恒定電流的電流值的大小成反比。?

優(yōu)選的，所述恒流關(guān)斷電路包括：第三NMOS晶體管M3、和UVLO控制模塊，其中?

所述UVLO控制模塊，用于設(shè)定所述第三NMOS晶體管M3的開啟閾值電壓UVLO_OFF和關(guān)斷閾值電壓UVLO_ON；?

所述第三NMOS晶體管M3的漏極分別與所述第一NMOS晶體管M1的柵極、所述限流降壓器件的一端和所述第二NMOS晶體管M2的漏極連接，所述第三NMOS晶體管M3的源極接地，所述第三NMOS晶體管M3的柵極接所述UVLO控制模塊的輸出，所述UVLO控制模塊的輸入接所述AC/DC?轉(zhuǎn)換器的電源電壓VCC。?

優(yōu)選的，所述限流降壓器件為倒比MOS管和JFET晶體管中的任一種。?

優(yōu)選的，所述限流降壓器件為第一電阻R1。?

優(yōu)選的，所述高壓啟動電路還包括：高壓轉(zhuǎn)低壓電路30，與所述恒流電路10連接，用于將經(jīng)過整流和濾波后的高電壓HV轉(zhuǎn)換為低電壓。?

優(yōu)選的，所述高壓轉(zhuǎn)低壓電路包括：第一NJFET晶體管NJ1，所述第一NJFET晶體管NJ1的漏極接高電壓HV，所述第一NJFET晶體管NJ1的柵極接地，所述第一NJFET晶體管NJ1的源極與所述第一NMOS晶體管M1的漏極和所述限流降壓器件連接。?

優(yōu)選的，在所述AC/DC轉(zhuǎn)換器啟動后，所述二極管D1，用于防止所述外接電容Cext通過所述第二NMOS晶體管M2向所述第三NMOS晶體管M3放電。?