[發(fā)明專利]一種應用于AC/DC轉換器的高壓啟動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110034079.6
• 申請日: 2011-01-31
• 公開（公告）號: CN102097928A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發(fā)明（設計）人: 夏云凱;雷晗
• 申請（專利權）人: 西安民展微電子有限公司
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;劉偉

1.一種應用于AC/DC轉換器的高壓啟動電路，其特征在于，所述高壓啟動電路包括：恒流電路(10)和恒流關斷電路(20)，其中

所述恒流電路(10)，用于通過負反饋的控制方式設定恒定電流，利用所述恒定電流為所述AC/DC轉換器的電源電壓(VCC)的外接電容(Cext)充電；

所述恒流關斷電路(20)，用于在所述電源電壓(VCC)上升到啟動閾值UVLO_OFF時，關斷所述恒流電路(10)，停止為所述外接電容(Cext)充電；當所述電源電壓(VCC)下降到關斷閾值UVLO_ON時，打開所述恒流電路(10)，開始為所述外接電容(Cext)充電。

2.根據權利要求1所述的高壓啟動電路，其特征在于，所述恒流電路(10)包括：第一NMOS晶體管(M1)、第二NMOS晶體管(M2)、限流降壓器件、第二電阻(R2)和二極管(D1)，其中

所述第一NMOS晶體管(M1)的漏極和所述限流降壓器件的一端分別接高電壓(HV)，所述第一NMOS晶體管(M1)的柵極和所述限流降壓器件的另一端相連，并接所述第二NMOS晶體管(M2)的漏極；

所述第一NMOS晶體管(M1)的源極和所述第二NMOS晶體管(M2)的柵極相連，并接所述第二電阻(R2)的一端；

所述第二電阻(R2)的另一端和所述第二NMOS晶體管(M2)的源極相連，并接二極管(D1)的陽極；

所述二極管(D1)的陰極接所述外接電容(Cext)的正極；所述外接電容(Cext)的負極接地。

3.根據權利要求2所述的高壓啟動電路，其特征在于，所述第二電阻(R2)阻值的大小與所述恒定電流的電流值的大小成反比。

4.根據權利要求3所述的高壓啟動電路，其特征在于，所述恒流關斷電路包括：第三NMOS晶體管(M3)、和UVLO控制模塊，其中

所述UVLO控制模塊，用于設定所述第三NMOS晶體管(M3)的開啟閾值電壓UVLO_OFF和關斷閾值電壓UVLO_ON；

所述第三NMOS晶體管(M3)的漏極分別與所述第一NMOS晶體管(M1)的柵極、所述限流降壓器件的一端和所述第二NMOS晶體管(M2)的漏極連接，所述第三NMOS晶體管(M3)的源極接地，所述第三NMOS晶體管(M3)的柵極接所述UVLO控制模塊的輸出，所述UVLO控制模塊的輸入接所述AC/DC轉換器的電源電壓(VCC)。

5.根據權利要求4所述的高壓啟動電路，其特征在于，所述限流降壓器件為倒比MOS管和JFET晶體管中的任一種。

6.根據權利要求4所述的高壓啟動電路，其特征在于，所述限流降壓器件為第一電阻(R1)。

7.根據權利要求4所述的高壓啟動電路，其特征在于，所述高壓啟動電路還包括：高壓轉低壓電路(30)，與所述恒流電路(10)連接，用于將經過整流和濾波后的高電壓(HV)轉換為低電壓。

8.根據權利要求7所述的高壓啟動電路，其特征在于，所述高壓轉低壓電路包括：第一NJFET晶體管(NJ1)，所述第一NJFET晶體管(NJ1)的漏極接高電壓(HV)，所述第一NJFET晶體管(NJ1)的柵極接地，所述第一NJFET晶體管(NJ1)的源極與所述第一NMOS晶體管(M1)的漏極和所述限流降壓器件連接。

9.根據權利要求8所述的高壓啟動電路，其特征在于，在所述AC/DC轉換器啟動后，所述二極管(D1)，用于防止所述外接電容(Cext)通過所述第二NMOS晶體管(M2)向所述第三NMOS晶體管(M3)放電。