[發(fā)明專利]光半導體封裝體及光半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110033237.6
• 申請日: 2011-01-24
• 公開（公告）號: CN102194975A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設計）人: 中井博
• 申請（專利權）人: 松下電器產業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

技術領域

本發(fā)明涉及安裝以LED為主的光半導體元件的光半導體封裝體及使用其的光半導體裝置。

背景技術

作為用于封裝發(fā)光二極管(LED)等光半導體元件的光半導體封裝體，已知具有安裝有光半導體元件的元件安裝部、設置有用于從光半導體元件與外部電路進行電連接的引線的光半導體封裝體。然后，將光半導體元件安裝于該光半導體封裝體的元件安裝部，對光半導體元件和引線進行引線鍵合，以透明樹脂進行密封，從而形成半導體發(fā)光裝置。

圖7是表示現(xiàn)有的光半導體封裝體的外觀結構的俯視圖。圖8是表示現(xiàn)有的光半導體封裝體的結構的剖視圖，是沿圖7的C-C’線的剖視圖。

對于現(xiàn)有的光半導體封裝體中安裝有光半導體元件的光半導體裝置，如圖7、圖8所示，包括：金屬塊33，該金屬塊33在主表面的元件安裝部放置有光半導體元件22，利用導電性粘接劑與光半導體元件22進行電連接；引線31，該引線31利用金屬線26與光半導體元件22進行電連接；引線32，該引線32利用金屬線27通過金屬塊33與光半導體元件22進行電連接；透光性構件16，該透光性構件16由透光性樹脂形成，以覆蓋光半導體元件22的方式進行配置；以及基座14。基座14由遮光性樹脂形成，用遮光性樹脂形成包括：底部，該底部支承引線31、32的內部引線部和金屬塊33；以及側部，該側部支承透光性構件16。此處，由基座14、內部引線部、及金屬塊33包圍的區(qū)域成為裝載有光半導體元件22的空腔區(qū)域。為了提高該空腔區(qū)域的內部引線部及金屬塊33表面的反射率而實施鍍銀。在上述現(xiàn)有的光半導體裝置中，金屬塊33使得與安裝有光半導體元件22的安裝區(qū)域相對應的背面區(qū)域貫通基座14的底部來露出到外部作為散熱區(qū)域(例如，參照日本專利特開2001-185763號公報)。

發(fā)明內容

然而，在上述的現(xiàn)有的光半導體封裝體中，存在以下問題：即，因由遮光性樹脂形成的基座14的劣化而導致反射率及機械強度的降低。

例如，在所述發(fā)光裝置中，對于光半導體元件22安裝部即金屬塊33的周邊由遮光性樹脂形成的基座14，會因光半導體元件22發(fā)射出的光(特別是紫外線)、和由光半導體元件22發(fā)出的經由金屬塊33傳遞的熱而受到損壞。一般而言，遮光性樹脂使用反射率高的白色的熱可塑性樹脂，但因受到熱、紫外線等外部能量而導致高分子原材料成為化學性質不穩(wěn)定，在樹脂中產生成為變色原因的分子結構體，在大多數(shù)情況下變?yōu)辄S色。另外，該遮光性樹脂的變色集中發(fā)生在最直接接收到來自光半導體元件22的光和熱的影響的空腔底面部。因該變色導致空腔內表面的反射率下降，發(fā)光裝置的發(fā)光量下降。

而且，由于因熱、紫外線等影響而產生遮光性樹脂變質，基座14和其他構件的接合強度降低，遮光性樹脂本身的機械強度降低，因此，由于遮光性樹脂的剝離、脫落等會引起外形不良。

為了解決上述問題，本發(fā)明的光半導體封裝體及光半導體裝置的目的在于維持空腔底部的反射率、和機械強度。

為了達到以上目的，本發(fā)明的光半導體封裝體的特征在于，包括：基座，該基座包含環(huán)狀的環(huán)及形成于上述環(huán)的下部、比上述環(huán)的內徑要大的環(huán)狀的基座下部；引線，該引線包含成為外部電極的外部引線；塊，該塊設置于上述基座下部內，上部表面的一部分露出到上述環(huán)內；元件安裝部，該元件安裝部設置于露出到上述環(huán)內的上述塊的表面，成為光半導體元件的安裝區(qū)域；引線放置部，該引線放置部與上述元件安裝部設置階梯，形成于上述上部表面，成為上述引線的放置區(qū)域；密封材料，該密封材料在上述下部區(qū)域內對上述塊和上述引線進行密封并保持；以及空腔，該空腔是由上述環(huán)的側面和上述塊的上部表面包圍的區(qū)域，用對于波長460nm的光的反射率為83％以上的無機材料來形成上述塊中的至少上述上部表面部分，在上述空腔的底部只露出上述塊的上部表面。

另外，也可以用對于波長460nm的光的反射率為83％以上的無機材料形成整個上述塊。

另外，最好對于上述波長460nm的光的平均反射率為83％以上的無機材料是Au-Ag合金。

另外，最好上述塊的與上述上部表面相對的背面從上述密封材料露出。

另外，也可以設置多個上述塊，各上述塊在電學上是獨立的。

另外，最好用陶瓷或玻璃陶瓷構成上述環(huán)。

另外，最好用氧化鋁含有量為50～60質量％的高反射玻璃陶瓷構成上述環(huán)。

另外，最好用玻璃或熱固化性樹脂構成上述密封材料。