[發明專利]光半導體封裝體及光半導體裝置

有效

• 申請號: 201110033237.6
• 申請日: 2011-01-24
• 公開（公告）號: CN102194975A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 中井博
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種光半導體封裝體，其特征在于，包括：

基座，該基座包含環狀的環及形成于所述環的下部、比上述環的內徑要大的環狀的基座下部；

引線，該引線包含成為外部電極的外部引線；

塊，該塊設置于所述基座下部內，上部表面的一部分露出到所述環內；

元件安裝部，該元件安裝部由光半導體元件的安裝區域構成，該光半導體元件設置于露出到所述環內的所述塊的表面；

引線放置部，該引線放置部與所述元件安裝部設置階梯，形成于所述上部表面，成為所述引線的放置區域；

密封材料，該密封材料在所述下部區域內對所述塊和所述引線進行密封并保持；以及

空腔，該空腔是由所述環的側面和所述塊的上部表面包圍的區域，

用對于波長460nm的光的反射率為83％以上的無機材料來形成所述塊的至少所述上部表面部分，在所述空腔的底部只露出所述塊的上部表面。

2.如權利要求1所述的光半導體封裝體，其特征在于，

用對于所述波長460nm的光的反射率為83％以上的無機材料形成整個所述塊。

3.如權利要求1所述的光半導體封裝體，其特征在于，

對于所述波長460nm的光的反射率為83％以上的無機材料是Au-Ag合金。

4.如權利要求1所述的光半導體封裝體，其特征在于，

所述塊的與所述上部表面相對的背面從所述密封材料露出。

5.如權利要求1所述的光半導體封裝體，其特征在于，

設置多個所述塊，各所述塊在電學上獨立。

6.如權利要求1所述的光半導體封裝體，其特征在于，

用陶瓷或玻璃陶瓷構成所述環。

7.如權利要求1所述的光半導體封裝體，其特征在于，

用氧化鋁含有量為50～60質量％的高反射玻璃陶瓷構成所述環。

8.如權利要求1所述的光半導體封裝體，其特征在于，

用玻璃或熱固化性樹脂構成所述密封材料。

9.一種光半導體裝置，其特征在于，包括：

如權利要求1所述的光半導體封裝體；

光半導體元件，該光半導體元件安裝于所述元件安裝部，與所述引線進行電連接；以及

透光性樹脂，該透光性樹脂密封在所述空腔內。