[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110032751.8
• 申請日: 2011-01-27
• 公開（公告）號: CN102142426A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 松村明
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一層間絕緣膜，其置于襯底之上；

多個第一虛層，其置于所述第一層間絕緣膜之上，布置成在第一方向中在其任意相鄰兩個層之間具有預(yù)定間隔，并且在與所述第一方向垂直的第二方向中延伸；

第二層間絕緣膜，其覆蓋所述第一虛層并且具有平坦化表面；以及

多個金屬電阻器層，其置于所述第二層間絕緣膜之上，并且在所述第一方向中延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第三層間絕緣膜，其覆蓋所述金屬電阻器層；以及

鈍化膜，其覆蓋所述第三層間絕緣膜，

其中所述第一虛層在與所述半導(dǎo)體器件的最上層互連層的相同制造步驟中形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述金屬電阻器層具有兩層結(jié)構(gòu)，所述兩層結(jié)構(gòu)具有金屬互連層和抗氧化膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述鈍化膜具有平坦表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的半導(dǎo)體器件，還包括多個墊層，其置于所述第一層間絕緣膜之上，布置在所述第一方向中從所述第一虛層兩側(cè)將所述第一虛層夾在中間的位置處，并且在所述第二方向中以預(yù)定間隔布置，

其中所述金屬電阻器層在所述第一方向中延伸并且布置成在所述第二方向中在其任意相鄰兩個層之間具有預(yù)定間隔，以及

其中所述金屬電阻器層經(jīng)由穿透所述第二層間絕緣膜的接觸插塞電耦合到所述墊層，從而形成串聯(lián)連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，還包括多個焊盤開口部分，所述最上層互連層的表面從所述焊盤開口部分暴露，

其中在所述焊盤開口部分的邊緣部分與所述金屬電阻器層之間的距離為100μm或更大。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第三層間絕緣膜，其覆蓋所述金屬電阻器層；以及

多個第二虛層，其置于所述第三層間絕緣膜之上，以在所述第一方向中在所述第二虛層的任意相鄰兩個層之間具有預(yù)定間隔并且在所述第二方向中延伸，

其中所述第一虛層在與所述第一層間絕緣膜之上形成的第一互連層的相同制造步驟中形成，以及

其中所述第二虛層在與所述第三層間絕緣膜之上形成的第二互連層的相同制造步驟中形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬電阻器層具有兩層結(jié)構(gòu)，所述兩層結(jié)構(gòu)具有金屬互連層和抗氧化膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體器件，還包括多個墊層，其設(shè)置在所述第一層間絕緣膜之上，置于在所述第一方向中從所述第一虛層兩側(cè)將所述第一虛層夾在中間的位置處，并且在所述第二方向中以預(yù)定間隔布置，

其中所述金屬電阻器層在所述第一方向中延伸并且布置成在所述第二方向中在其任意相鄰兩個層之間具有預(yù)定間隔，以及

其中所述金屬電阻器層經(jīng)由穿透所述第二層間絕緣膜的接觸插塞電耦合到所述墊層，從而形成串聯(lián)連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一虛層和所述第二虛層在平面圖中交替布置。

11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體器件，還包括多個墊層，其設(shè)置在所述第三層間絕緣膜之上，布置在所述第一方向中從所述第二虛層兩側(cè)將所述第二虛層夾在中間的位置處，并且在所述第二方向中以預(yù)定間隔布置，

其中所述金屬電阻器層在所述第一方向中延伸并且布置成在所述第二方向中在其任意相鄰兩個層之間具有預(yù)定間隔，以及

其中所述金屬電阻器層經(jīng)由穿透所述第三層間絕緣膜的接觸插塞電耦合到所述墊層，從而形成串聯(lián)連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一虛層和所述第二虛層在平面圖中交替布置。