[發明專利]光刻工藝中自動批量建立層間誤差測量程式的方法

有效

• 申請號: 201110032430.8
• 申請日: 2011-01-28
• 公開（公告）號: CN102109772A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 岳力挽;陸向宇;陳駱
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及光刻技術領域，具體是一種光刻工藝中自動批量建立層間誤差測量程式的方法。

背景技術

使用量測機臺建立量測程式對光刻層間的誤差進行量測，這在光刻工藝中已經被普遍使用。但是大部分量測程式需要通過在硅晶圓上手動建立量測程式來進行，而且針對每一個產品要單獨的去建立每一個程式，這樣不僅引入了人為誤差，而且增加了量測時間。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本發明提出一種光刻工藝中的光刻層間誤差的量測方法，具體技術方案如下：

一種光刻工藝中的光刻層間誤差的量測方法，其包括步驟：

1)制作光刻信息文檔。信息文檔包括：產品的光刻信息；曝光區域尺寸；切割道尺寸以及量測標記在曝光域中的坐標等晶圓布局參數。這些信息文檔是以固定的格式(包括字體大小，字體顏色，表格形式等等)制作成Word文檔，excel表格或是TXT文檔等各種形式，以方便計算機程序識別。

2)把光刻信息轉換成程式參數文件。利用計算機程序進行轉換，具體方法是把光刻信息文檔中的相關參數通過計算機程序先轉換成程序變量，然后由程序將這些變量寫成量測機臺可以識別的程式參數文件。本步驟中提到的計算機程序，在現有技術中很多見，常用的是使用Perl語言編寫的計算機程序，來把步驟1)中的參數編入參數文件中。

3)建立通用的量測程式的模板，具體包括：

3.1)對產品設計通用的基準圖案：

在光掩模板設計圖中固定位置畫一個基準圖案，作為將來量測機臺對準識別用的標記。將這個圖案以及這個圖案在曝光域的坐標導入量測機臺的數據庫中。由于該基準圖案位于產品光罩的固定位置上，因此當這個圖案曝到硅晶片以后，通過蝕刻工藝就會在在每個曝光區域的相對應的固定位置上。而量測機臺可以將數據庫中的圖案與晶片上的圖案進行比較來做識別，以確定量測區域的坐標系，從而通過基準圖案與量測標記的相對坐標來找到量測位置。由于這個基準圖案對于每一個產品每一光刻層制程來說都是一樣的，所以只需一次導入一個基準圖案，就可以適用于大部分的產品的幾乎所有光刻層的制程。

3.2)通過對產品量測設定通用的環境參數，例如是否開啟光路偏差矯正功能，是否使用手動輔助量測功能，是否打開自動截圖功能等等。

4)把所述程式參數導入量測機臺的數據庫，在數據庫中，根據所述量測程式的模板和程式參數生成各個產品對應的量測程式，最終導入量測機臺對相應產品進行量測。該數據庫由四部分組成：

1.晶圓布局參數；2.量測標記坐標設定；3.基準圖案辨識設定；4.設定環境參數設定；

根據上述生成的文件和模板，量測機臺可以自動將其整合成量測程式。

與現有技術相比，本發明通過制作光刻信息文檔，量測模板以及所編寫的計算機程序，利用計算機可以自動批量生成量測程式，無需硅晶圓，無需手動操作，可以降低制成時間，提高效率，減少人為操作失誤。

附圖說明

圖1是本發明的方法流程示意圖；

圖2是具體實施例中步驟3)的基準圖案設計圖。

具體實施方式

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步說明。

如圖1，一種光刻工藝中的光刻層間誤差的量測方法，包括步驟：

1)制作光刻信息文檔；

2)把光刻信息轉換成程式參數文件；

3)建立通用的量測程式的模板，包括

3.1)對產品設計通用的基準圖案；

先在光掩模板設計圖中固定位置畫一個基準圖案，作為量測機臺對準識別用的標記；再把所述基準圖案及其在曝光域的坐標導入量測機臺的數據庫中；

3.2)對產品量測設定通用的環境參數；

4)把所述程式參數導入量測機臺的數據庫，在數據庫中，根據所述量測程式的模板和程式參數生成各個產品對應的量測程式，最終導入量測機臺對相應產品進行量測；

通過將上述生成的文件和模板，量測機臺可以自動將其整合成光刻層間誤差的量測程式。

概括來說，本方法是將各個產品的光刻信息制作成固定格式的文檔，并針對大部分產品建立一個通用的量測程式的模板，通過編寫的計算機程序轉化成相關的程式參數并導入量測機臺的數據庫，該數據庫可通過程式參數與程式模板將自動生成各個產品對應的量測程式。將生成好的量測程式導入到量測機臺端進行量測。

下面結合例子對本方法進行說明，本例的機臺是由美國科天公司生產的ARCHER10。

1)制作光刻信息文檔，格式如下：

晶圓布局參數：

Wafer?Map