[發明專利]光刻工藝中自動批量建立層間誤差測量程式的方法

有效

• 申請號: 201110032430.8
• 申請日: 2011-01-28
• 公開（公告）號: CN102109772A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 岳力挽;陸向宇;陳駱
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種光刻工藝中的光刻層間誤差的量測方法，其特征是包括步驟：

1)制作光刻信息文檔；

2)把光刻信息轉換成程式參數文件；

3)建立通用的量測程式的模板，包括

3.1)對產品設計通用的基準圖案；

先在光掩模板設計圖中固定位置畫一個基準圖案，作為量測機臺對準識別用的標記；再把所述基準圖案及其在曝光域的坐標導入量測機臺的數據庫中；

3.2)對產品量測設定通用的環境參數；

4)把所述程式參數導入量測機臺的數據庫，在數據庫中，根據所述量測程式的模板和程式參數生成各個產品對應的量測程式，最終導入量測機臺對相應產品進行量測；

根據上述生成的文件和模板，量測機臺自動將其整合成光刻層間誤差的量測程式。

2.根據權利要求1所述的光刻工藝中的光刻層間誤差的量測方法，其特征是所述步驟1)中，信息文檔包括：產品的光刻信息；曝光區域尺寸、切割道尺寸，以及量測標記在曝光域中的坐標等晶圓布局參數。

3.根據權利要求1所述的光刻工藝中的光刻層間誤差的量測方法，其特征是所述步驟2)中，把光刻信息轉換成程式參數文件是利用計算機程序進行轉換，具體方法是，把光刻信息文檔中的相關參數通過計算機程序先轉換成程序變量，然后由程序將這些變量寫成量測機臺可以識別的程式參數文件。

4.根據權利要求1所述的光刻工藝中的光刻層間誤差的量測方法，其特征是所述步驟3)中，對產品量測設定通用的環境參數，包括是否開啟光路偏差矯正功能、是否使用手動輔助量測功能，和是否打開自動截圖功能。

5.根據權利要求1所述的光刻工藝中的光刻層間誤差的量測方法，其特征是所述步驟4)中，所述數據庫由四部分組成：

1)晶圓布局參數；2)量測標記坐標設定；3)基準圖案辨識設定；4)設定環境參數設定。