[發明專利]半導體發光芯片制造方法

無效

• 申請號: 201110028114.3
• 申請日: 2011-01-28
• 公開（公告）號: CN102623579A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 凃博閔;黃世晟;林雅雯
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種發光芯片制造方法，特別是指一種半導體發光芯片制造方法。

背景技術

發光二極管作為一種新興的光源，目前已廣泛應用于多種場合之中，并大有取代傳統光源的趨勢。

發光二極管中最重要的元件為發光芯片，其決定了發光二極管的各種出光參數，如強度、顏色等。現有的發光芯片通常是由依次生長在基板的N型半導體層、發光層及P型半導體層所組成。通過外界電流的激發，發光芯片的N型半導體層的電子與P型半導體層的空穴在發光層復合而向外輻射出光線。

然而，由于發光層輻射出的光線當中有相當部分會被發光芯片與外界環境的交界面所反射回發光芯片內，導致發光芯片的發光效率降低，影響發光二極管的發光強度。

發明內容

因此，有必要提供一種發光效率較高的半導體發光芯片的制造方法。

一種半導體發光芯片的制造方法，包括步驟：

提供具有磊晶層的基板，該磊晶層包括第一半導體層、第二半導體層及位于第一半導體層及第二半導體層之間的發光層；

將磊晶層浸入電解質溶液當中，通入電流使電解質溶液蝕刻磊晶層表面而形成孔洞；及

在磊晶層上制作電極。

由于使用該方法制造出來的發光芯片的表面被粗化，因此可破壞光線在發光芯片內部的反射，從而增大光線出射的機率，進而提升發光芯片的發光效率。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1為本發明半導體發光芯片制造方法的第一個步驟。

圖2為本發明半導體發光芯片制造方法的第二個步驟。

圖3為本發明半導體發光芯片制造方法的第三個步驟。

圖4為本發明半導體發光芯片制造方法的第四個步驟。

圖5從另一視角示出了本方法的第四個步驟。

圖6示出了經過第四個步驟處理之后的半導體發光芯片。

圖7為本發明半導體發光芯片制造方法的第五個步驟。

圖8示出了制造完成的半導體發光芯片。

主要元件符號說明

??10??晶圓??20??基板??30??磊晶層??300??槽道??302??孔洞??32??第一半導體層??34??發光層??36??第二半導體層??40??緩沖層??50??保護層??60??電解質溶液??62??導電棒??70??夾具??72??第一夾持部??74??第二夾持部??80??第一電極