[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110028114.3
• 申請日: 2011-01-28
• 公開（公告）號: CN102623579A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 凃博閔;黃世晟;林雅雯
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，包括步驟：

提供具有磊晶層的基板，該磊晶層包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及位于第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層；

將磊晶層浸入電解質(zhì)溶液當(dāng)中，通入電流使電解質(zhì)溶液蝕刻磊晶層表面而形成孔洞；及

在磊晶層上制作電極。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于：電解質(zhì)溶液包括草酸。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于：磊晶層包括氮化鎵材料。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于：在將磊晶層浸入電解質(zhì)溶液之前包括在磊晶層的第二半導(dǎo)體層頂面形成槽道的步驟，第一半導(dǎo)體層暴露在槽道內(nèi)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于：還包括在形成槽道之后在暴露出來的第一半導(dǎo)體層表面形成保護(hù)層的步驟。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片的制造方法，其特征在于：該保護(hù)層由二氧化硅制成。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于：在蝕刻完磊晶層之后還包括去除保護(hù)層的步驟，電極制作在暴露出來的第一半導(dǎo)體層表面。

8.如權(quán)利要求1至7任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于：磊晶層是通過夾具夾持浸入電解質(zhì)溶液當(dāng)中的，夾具包括抵接第二半導(dǎo)體層頂面的第一夾持部及抵接基板底面的第二夾持部。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于：第一夾持部為正電極。

10.如權(quán)利要求1至7任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片制造方法，其特征在于：形成的孔洞的直徑介于10^-9m至10^-7m之間。