[發明專利]半導體模塊及其制造方法有效
| 申請號： | 201110022812.2 | 申請日： | 2011-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN102263092A | 公開（公告）日： | 2011-11-30 |
| 發明（設計）人： | 羽鳥憲司;長谷川滋 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H01L21/58;H01L21/60;H01L21/98 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 閆小龍;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 模塊 及其 制造 方法 | ||
1.?一種半導體模塊，具有：
絕緣襯底；
多個半導體芯片，在所述絕緣襯底表面彼此隔離配置；
焊料層，在所述絕緣襯底背面側，僅形成在與配置有各所述半導體芯片的位置對應的位置；以及
底板，隔著所述焊料層與所述絕緣襯底連接。
2.?如權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于：
還具有僅在所述絕緣襯底背面的與配置有所述各半導體芯片的位置對應的位置形成的第一金屬鍍層，
所述焊料層形成在所述第一金屬鍍層上。
3.?如權利要求1或2所述的半導體模塊，其特征在于：
還具有僅在所述底板上的與配置有所述各半導體芯片的位置對應的位置形成的第二金屬鍍層，
所述焊料層形成在所述第二金屬鍍層上。
4.?如權利要求1或2所述的半導體模塊，其特征在于：
所述各半導體芯片是SiC半導體芯片。
5.?一種半導體模塊的制造方法，具有：
工序（a），準備絕緣襯底；
工序（b），在所述絕緣襯底表面，彼此隔離地配置多個半導體芯片；
工序（c），在所述絕緣襯底背面側，僅在與配置有各所述半導體芯片的位置對應的位置形成焊料層；
工序（d），隔著所述焊料層連接所述絕緣襯底與底板。
6.?如權利要求5所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于：
還具有工序（e），在所述工序（c）之前，僅在所述絕緣襯底背面的與配置有所述各半導體芯片的位置對應的位置形成第一金屬鍍層，
所述工序（c）是在所述第一金屬鍍層上形成所述焊料層的工序。
7.?如權利要求5或6所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于：
還具有工序（f），在所述工序（c）之前，僅在所述底板上的與配置有所述各半導體芯片的位置對應的位置形成第二金屬鍍層，
所述工序（c）是在所述第二金屬鍍層上形成所述焊料層的工序。
8.?如權利要求5或6所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于：
所述工序（b）是在所述絕緣襯底表面彼此隔離地配置多個SiC半導體芯片的工序。
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