[發明專利]一種Ta摻雜的CeO2過渡層薄膜及其制備方法無效
| 申請號： | 201110022469.1 | 申請日： | 2011-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN102173801A | 公開（公告）日： | 2011-09-07 |
| 發明（設計）人： | 劉敏;呂昭;索紅莉;馬麟;徐燕;董傳博 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | C04B35/50 | 分類號： | C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ta 摻雜 ceo sub 過渡 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種Ta摻雜CeO2過渡層薄膜，所述的薄膜為CeO2基體中摻雜Ta形成的TaxCe1-xO2復合氧化固溶體，其中0.1≤x≤0.25，膜的厚度為30～240nm。
2.一種Ta摻雜CeO2過渡層薄膜的制備方法，其特征在于，以有機鈰鹽為主要材料，以氯化鉭或者乙醇鉭為鉭源，采用化學溶液的方法，經過旋涂的方法沉積到金屬基帶上，再經過熱處理工藝得到Ta摻雜的CeO2過渡層薄膜，包括如下步驟：
1)制備前驅液：將有機鈰鹽與鉭鹽，按鈰離子與鉭離子摩爾比1-x∶x，其中0.1≤x≤0.25，溶解到甲醇和正丙酸中，加熱攪拌至溶解，鈰離子與鉭離子總濃度為0.2～0.8mol/L，獲得前驅液；
2)涂覆前驅液：將步驟1)制備的前驅液用旋涂的方式沉積到金屬基帶上；
3)高溫燒結：將帶有前驅液的金屬基在保護氣氛的條件下，于950～1200℃下燒結5～60分鐘，得到具有立方織構的TaxCe1-xO2單層薄膜。
3.按照權利要求2的方法，其特征在于，還包括步驟4)：重復進行步驟2)和3)1～4次，得到30～240nm的多層TaxCe1-xO2薄膜。
4.按照權利要求2或3的方法，其特征在于，步驟1)中所述的鉭鹽優選無機鉭鹽氯化鉭或者有機鉭鹽乙醇鉭，有機鈰鹽優選乙酰丙酮鈰。
5.按照權利要求2或3的方法，其特征在于，步驟2)中所述的旋涂方式是將前驅液滴到金屬基帶上，利用旋涂機進行旋轉涂覆30～60秒，旋涂機轉數在2000～5000rpm之間。
6.按照權利要求2或3的方法，其特征在于，步驟3)所述的保護氣氛為N2-H2氣體，其中H2體積分數4％。?
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