[發明專利]一種存儲器裝置的編程方法

無效

• 申請號: 201110021528.3
• 申請日: 2011-01-13
• 公開（公告）號: CN102592673A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 蔡富凱;劉建宏
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

技術領域

本發明的實施例是有關于多層單元式(multi-level?cell，MLC)存儲器裝置的編程，且特別是有關于一種存儲器裝置的編程方法，用以增加關于MLC存儲器裝置的編程速度并對讀取窗口進行控制。

背景技術

已知的快閃存儲單元將電荷儲存在可能譬如是摻雜多晶硅的浮動柵極上。內儲電荷改變存儲單元的閾值電壓(Vt)。在「讀取」操作中，是將讀取電壓施加至存儲單元的柵極，而存儲單元是否導通的相對應指示(例如，傳導電流)表示存儲單元的編程狀態。舉例而言，在「讀取」操作期間傳導電流的存儲單元可能被指定為「1」的數字值，而在「讀取」操作期間并未傳導電流的存儲單元可能被指定為「0」的數字值。可將電荷添加至浮動柵極，并將電荷移離浮動柵極，用以編程并擦除存儲單元(例如，用以將存儲單元數值從「1」改變成「0」)。

另一種型式的存儲器使用一種電荷捕捉構造，而非使用于浮動柵極裝置中的導電柵材料。電荷捕捉構造可具有一個或多個單元(cell)，每一單元包含一電荷捕捉層與一非導電層。當此種型式的構造被編程時，可能在電荷捕捉層中捕捉到一電荷，以能使其不會移動通過非導電層。電荷可能通過電荷捕捉層而被維持，直到擦除存儲單元為止，以在不需要施加一種連續的電力源的情況下維持數據狀態。這些電荷捕捉單元可被操作為雙面單元(two-sided?cells)。換言之，因為電荷并未移動通過非導電電荷捕捉層，所以可將電荷局部控制在不同的電荷捕捉地段。因此，可能構建所謂的多位單元(multi-bit?cell，MBC)，其可增加可被儲存于存儲器裝置中的數據量而不需要浪費更多空間。

起初MBC可具有一種擦除狀態Vt分布，且存儲器的每個位可能接著被編程至一種目標的編程狀態。目標編程狀態的Vt分布可具有一種相關的編程確認(PV)電平(例如，下邊界)。為了具有編程位的緊密的Vt分布，可將關于目標編程狀態的預先PV電平可能設定成低于PV電平，并可執行包含一粗糙編程操作(rough?program?operation)與一精細編程操作(fineprogram?operation)的兩步驟的編程操作。然而，編程一般只聚焦在下邊界的位置上，而不需要留意上邊界，而上邊界可能影響較快速位。因此，可能期望發展一種用以增加關于MLC存儲器裝置的編程速度與控制讀取窗口的程序，用以使對編程分布的負面影響最小化。

發明內容

因此，提供本發明的實施例，其可致能一種用以編程一存儲器裝置(例如，MLC存儲器裝置)的方法的提供，此存儲器裝置會留意上邊界的位置。因此，舉例而言，當增加編程速度時，可能控制讀取窗口裕度(read?windowmargins)。在某些實施例中，可能通過增加在慢速位的編程期間所施加的偏壓，以減少最快速位的過度編程的可能性，同時仍然增加編程慢速位的速度而更快速地編程慢速位。

在一實施示范例中，提供一種存儲器裝置的編程方法。存儲器裝置可包含多個位，每個位具有多個編程狀態，于其中每個編程狀態具有一對應的編程確認(program?verify，PV)電平。此方法可包括施加一第一順序的編程擊發(program?shot)用以利用具有對應于被編程的各個編程狀態的一最大值的一偏壓來編程存儲器裝置的最快速位，降低偏壓以施加一第二順序的編程擊發以編程存儲器裝置的快速位到達N個編程擊發，以及增加供大于N的編程擊發用的偏壓以編程存儲器裝置的慢速位。

本領域技術人員應理解到上述的一般說明與下述的詳細說明是僅具有例示的目的，且并未意圖限制本發明的范疇。

為了對本發明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1顯示依據本發明的一實施示范例的存儲器陣列的電荷捕捉存儲器的一般結構；

圖2顯示依據本發明的一實施示范例的圖1的電荷捕捉存儲器的每個儲存側的Vt窗口；

圖3顯示首先采用粗糙編程階段，緊接著精細編程階段的例子的兩步驟編程；

圖4顯示依據本發明的一實施示范例的留意高邊界的位置的示范編程順序；

圖5顯示依據本發明的一實施示范例的關于圖2中的每個編程狀態對每一側的編程操作Vd偏壓(或BL偏壓)與編程脈沖擊發；

圖6顯示依據本發明的一實施示范例的關于圖2所顯示的每個編程狀態對每一側的示范程序流程圖；以及

圖7為依據本發明一實施示范例的與增加關于MLC存儲器裝置的編程速度與控制讀取窗口的一示范方法相關的操作流程圖。

【主要元件符號說明】