[發明專利]一種存儲器裝置的編程方法

無效

• 申請號: 201110021528.3
• 申請日: 2011-01-13
• 公開（公告）號: CN102592673A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 蔡富凱;劉建宏
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種存儲器裝置的編程方法，該存儲器裝置包含多個位，每個位具有多個編程狀態，每個編程狀態具有一對應的編程確認(PV)電平，該方法包括：

施加一第一順序(first?sequence)的一個或多個編程擊發(program?shot)，用以利用具有對應于被編程的各個編程狀態的一最大值的一偏壓來編程該存儲器裝置的多個最快速位(fastest?bits)；

降低該偏壓以施加一第二順序(second?sequence)的一個或多個編程擊發，以編程該存儲器裝置的多個快速位(fast?bits)達到N個編程擊發；以及

增加關于大于N的多個編程擊發的該偏壓以編程該存儲器裝置的多個慢速位(slow?bits)。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，增加關于大于N的多個編程擊發的該偏壓包括：使該偏壓增加了一第一累進數量并決定一額外位是否通過PV。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，增加關于大于N的該些編程擊發的該偏壓包括：只要該附加位通過PV，就維持該第一累進數量。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，增加關于大于N的該些編程擊發的該偏壓包括：使該偏壓增加了一第二累進數量，以因應沒有通過PV的額外位。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，增加關于大于N的該些編程擊發的該偏壓包括：使該偏壓增加了各個累進數值，但使該偏壓維持在對應于被編程的各該個編程狀態的該最大值以下。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，N的數值是基于一期望的編程速度而被選定。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該存儲器裝置為一多層單元式(multi-level?cell，MLC)存儲器裝置。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該存儲器裝置為一電荷捕捉存儲器裝置。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，施加該第一順序的編程擊發包括只施加一個或兩個編程擊發。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，施加該第一順序的編程擊發包括施加該偏壓，以使該偏壓增加，而使在該第一順序的編程擊發中所施加的各該編程擊發到達該最大值。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，更包括在繼續該第二順序之前檢查，以查看一個位是否通過一上部編程確認邊界(PV’)。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，施加該第一順序的編程擊發包括采用一粗糙編程操作(rough?programming?operation)。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，降低該偏壓以施加該第二順序的編程擊發包括采用一第一精細編程操作(first?fineprogramming?operation)。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，增加關于大于N的該些編程擊發的該偏壓包括采用一第二精細編程操作(second?fineprogramming?operation)。