[發明專利]聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法

無效

• 申請號: 201110009168.5
• 申請日: 2011-01-14
• 公開（公告）號: CN102091533A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 石巍;涂晶;姜海容;葛東濤
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: B01D69/12
• 分類號: B01D69/12
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森

1.聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法，其特征在于包括包括以下步驟：

1)將經過預處理的陽極氧化鋁膜和N-2-羧乙基吡咯單體置于氣相沉積聚合裝置內，并將所述氣相沉積聚合裝置抽真空后進行氣相沉積聚合反應；

2)反應結束后冷卻，除去雜質即得聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜。

2.如權利要求1所述的聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述預處理的方法為：將陽極氧化鋁膜浸入三氯化鐵溶液0.5～3h，取出后進行真空干燥。

3.如權利要求2所述的聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法，其特征在于所述三氯化鐵溶液的濃度為0.1～0.5mol/L；所述真空干燥的溫度為50～100℃，時間為10～24h。

4.如權利要求1所述的聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法，其特征在于所述陽極氧化鋁膜的孔徑為0.1～0.8μm，厚度為50～200μm，孔隙率為40％～85％。

5.如權利要求1所述的聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法，其特征在于所述陽極氧化鋁膜與N-2-羧乙基吡咯單體的質量比為1∶0.17～0.67。

6.如權利要求1所述的聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法，其特征在于所述陽極氧化鋁膜置于氣相沉積聚合裝置中部，所述N-2-羧乙基吡咯單體置于氣相沉積聚合裝置的底部。

7.如權利要求1所述的聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法，其特征在于所述抽真空后氣相沉積聚合裝置的真空度為0.01～0.1Pa。

8.如權利要求1所述的聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法，其特征在于所述氣相沉積聚合反應的條件為：反應溫度110～180℃，反應時間4～10h。

9.如權利要求1所述的聚N-2-羧乙基吡咯-陽極氧化鋁復合膜的制備方法，其特征在于在步驟2)中所述除去雜質是用水反復沖洗陽極氧化鋁膜表面并將其進行干燥。