[發(fā)明專利]具有單側(cè)接觸的半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110009090.7
• 申請日: 2011-01-17
• 公開（公告）號: CN102315160A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金裕松
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/52
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;張文

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

通過刻蝕襯底形成多個(gè)第一溝槽；

形成覆蓋每個(gè)所述第一溝槽的兩個(gè)側(cè)壁的第一間隔件；

通過刻蝕每個(gè)所述第一溝槽的底部形成多個(gè)第二溝槽；

形成覆蓋每個(gè)所述第二溝槽的兩個(gè)側(cè)壁的第二間隔件；

通過刻蝕每個(gè)所述第二溝槽的底部形成多個(gè)第三溝槽；

形成覆蓋暴露出的襯底表面的絕緣層；以及

通過選擇性地去除所述第二間隔件形成暴露出每個(gè)第二溝槽的一個(gè)側(cè)壁的接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成第三溝槽包括：

在所述第二溝槽的底面上形成阻擋層；

沿著每個(gè)所述第二溝槽的兩個(gè)側(cè)壁形成第三間隔件以覆蓋所述第二間隔件；

去除每個(gè)所述第二溝槽中的第三間隔件之一；以及

通過使用保留的第二間隔件和第三間隔件作為刻蝕阻擋層刻蝕所述第二溝槽的底面形成第三溝槽。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述阻擋層是氧化物層。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中通過氧化所述第二溝槽的底面形成所述阻擋層。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中去除所述第三間隔件之一包括：

在所述第三間隔件之上形成間隙填充所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)部的多晶硅層；

通過刻蝕所述多晶硅層的一部分暴露出每個(gè)第二溝槽中的第三間隔件之一的上部；

去除暴露出的第三間隔件；以及

去除所述多晶硅層。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中通過濕浸工藝來去除所述第三間隔件的暴露出的一個(gè)和去除所述多晶硅層。

7.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第三間隔件由氮化鈦層形成。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述接觸之后，形成部分地填充所述第三溝槽內(nèi)部的掩埋位線。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使用硬掩模圖案作為刻蝕阻擋層來形成所述第一溝槽、第二溝槽和第三溝槽。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一間隔件和所述絕緣層由氧化物層形成，而所述第二間隔件由氮化物層形成。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中通過氧化暴露出的襯底表面來形成所述絕緣層。

12.一種半導(dǎo)體器件，包括：

多個(gè)三重溝槽，所述三重溝槽各包括形成在襯底中并且在深度方向上以不同的寬度延伸的第一溝槽、第二溝槽和第三溝槽；

提供單側(cè)接觸并且覆蓋所述三重溝槽的剩余表面的絕緣層，所述單側(cè)接觸暴露出每個(gè)第二溝槽中的一個(gè)側(cè)壁；以及

在所述第二溝槽的通過所述單側(cè)接觸暴露出來的側(cè)壁上形成的多個(gè)結(jié)。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

與所述結(jié)耦接并且填充每個(gè)三重溝槽的一部分的多個(gè)掩埋位線。

14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中在每個(gè)三重溝槽中，所述第二溝槽比所述第三溝槽更寬，而所述第一溝槽比所述第二溝槽更寬。

15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣層包括：

覆蓋所述第一溝槽的兩個(gè)側(cè)壁的第一氧化物層；

形成在第一氧化物層之上并且覆蓋所述第二溝槽的一個(gè)側(cè)壁的氮化物層；以及

覆蓋通過第三溝槽暴露出的襯底表面的第二氧化物層。

16.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，所述襯底具有在其中形成以限定兩個(gè)有源區(qū)的溝槽；

兩個(gè)第一間隔件，其中一個(gè)第一間隔件在所述溝槽的每個(gè)側(cè)壁的上部上；

第二間隔件，所述第二間隔件覆蓋所述第一間隔件之一并且覆蓋所述溝槽的側(cè)壁之一的中部；

覆蓋所述溝槽下部的絕緣層；以及

在所述溝槽的側(cè)壁之一的中部形成的單側(cè)接觸。