[發明專利]形成電磁保護半導體管芯的方法及半導體管芯

有效

• 申請號: 201110008696.9
• 申請日: 2011-01-17
• 公開（公告）號: CN102157397A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: M·J·塞登;F·J·卡爾尼;G·M·格里瓦納
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/78;H01L23/552
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種形成半導體管芯的方法，包括：

提供半導體晶片，該半導體晶片具有半導體襯底并具有多個半導體管芯，所述多個半導體管芯在所述半導體襯底上形成且被所述半導體襯底的要形成切單線的位置處的那部分相互分離，所述半導體襯底具有第一表面和第二表面；

形成通過所述多個半導體管芯中的第一半導體管芯的開口，其中，所述開口具有斜坡側壁，使得所述開口的寬度在開口的一個末端處比在所述開口的相反末端處大；以及

在所述開口的所述斜坡側壁上形成第一導體。

2.權利要求1的方法，其中，在所述斜坡側壁上形成第一導體包括：形成從所述第一半導體管芯的第二表面且到所述斜坡側壁上的所述第一導體。

3.權利要求1的方法，其中，形成所述開口包括：使用一系列的各向同性蝕刻，其中，每個各向同性蝕刻使所述開口延伸到所述半導體襯底中，并且還連續地增加所述開口的寬度。

4.權利要求1的方法，還包括：形成覆蓋所述半導體襯底的第一表面的第二導體，并將所述斜坡側壁上的所述第一導體形成為與所述第二導體鄰接并形成所述第一導體與所述第二導體之間的電連接。

5.權利要求4的方法，其中，形成所述開口包括：從所述第二導體的第一部分下面對所述半導體襯底的一部分進行底切并在所述斜坡側壁上將所述第一導體形成為與所述第二導體的第二部分鄰接。

6.權利要求1的方法，還包括形成覆蓋所述半導體襯底的所述第一表面的第三導體，所述第三導體的一部分延伸到所述半導體晶片的要形成第一切單線處的第一部分中，并將所述第一導體形成為與所述第三導體鄰接并形成所述第一導體形成與所述第三導體之間的電連接。

7.一種半導體管芯，包括：

半導體襯底，其具有第一表面和第二表面；

延伸通過所述半導體襯底的開口，所述開口具有側壁，其中，至少一個側壁是斜坡側壁，使得所述開口的第一末端的寬度大于所述開口的相反末端的寬度；以及

所述斜坡側壁上的第一導體。

8.權利要求7的半導體管芯，其中，所述第一導體在所述半導體管芯的第二表面上。

9.權利要求7的半導體管芯，其中，所述開口的第一末端的寬度比所述相反末端的寬度寬約二至十微米。

10.權利要求7的半導體管芯，還包括具有從所述第一表面延伸到所述第二表面的外部側壁的所述半導體管芯，其中，所述外部側壁中的至少一個是斜坡外部側壁，使得所述第一表面的寬度大于所述第二表面的寬度；

所述斜坡外部側壁上的所述第一導體；以及

覆蓋所述半導體襯底的所述第一表面的第二導體，所述第二導體的一部分延伸到所述斜坡側壁而與所述第一導體鄰接并形成所述第一導體與所述第二導體之間的電連接。