[發(fā)明專利]形成電磁保護(hù)半導(dǎo)體管芯的方法及半導(dǎo)體管芯

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110008696.9
• 申請(qǐng)日: 2011-01-17
• 公開（公告）號(hào): CN102157397A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·J·塞登;F·J·卡爾尼;G·M·格里瓦納
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L21/78;H01L23/552
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般涉及電子學(xué)，更具體地涉及形成半導(dǎo)體的方法。

背景技術(shù)

在過去，半導(dǎo)體行業(yè)利用各種方法和結(jié)構(gòu)來形成具有針對(duì)電磁(EM)干擾(或EMI)的一定程度的保護(hù)的半導(dǎo)體器件。通常，半導(dǎo)體管芯被密封在封裝中以形成降低半導(dǎo)體器件對(duì)高頻信號(hào)的敏感度的半導(dǎo)體器件。該封裝通常包括封裝材料中或被粘附于封裝材料的金屬以便為半導(dǎo)體管芯提供電磁(EM)屏蔽。封裝材料中的金屬形成被屏蔽封裝。通常，將被屏蔽封裝制造至幾乎完成的階段，然后，將半導(dǎo)體管芯組裝到該被屏蔽封裝中。被屏蔽封裝的制造增加封裝成本并增加結(jié)果得到的成品半導(dǎo)體器件的成本。

因此，期望的是具有由半導(dǎo)體晶片形成管芯的方法，其降低組裝EM保護(hù)封裝器件的成本，形成更加受到EM保護(hù)的半導(dǎo)體管芯，并具有用于EM保護(hù)半導(dǎo)體管芯的低成本。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種形成半導(dǎo)體管芯的方法。該方法包括：提供半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有半導(dǎo)體襯底并具有多個(gè)半導(dǎo)體管芯，所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯在所述半導(dǎo)體襯底上形成且被所述半導(dǎo)體襯底的要形成切單線的位置處的那部分相互分離，所述半導(dǎo)體襯底具有第一表面和第二表面；形成通過所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯中的第一半導(dǎo)體管芯的開口，其中，所述開口具有斜坡側(cè)壁，使得所述開口的寬度在開口的一個(gè)末端處比在所述開口的相反末端處大；以及在所述開口的所述斜坡側(cè)壁上形成第一導(dǎo)體。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體管芯，包括：半導(dǎo)體襯底，其具有第一表面和第二表面；延伸通過所述半導(dǎo)體襯底的開口，所述開口具有側(cè)壁，其中，至少一個(gè)側(cè)壁是斜坡側(cè)壁，使得所述開口的第一末端的寬度大于所述開口的相反末端的寬度；以及所述斜坡側(cè)壁上的第一導(dǎo)體。

附圖說明

圖1圖示依照本發(fā)明的多個(gè)EM保護(hù)半導(dǎo)體管芯的一部分的實(shí)施例的放大截面圖；

圖2圖示依照本發(fā)明的包括圖1的多個(gè)半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體晶片的實(shí)施例的縮小平面圖；

圖3圖示依照本發(fā)明的形成圖1的半導(dǎo)體管芯的工藝示例中的一個(gè)階段處的圖1的半導(dǎo)體晶片的一部分的實(shí)施例的示例的放大截面圖；

圖4圖示依照本發(fā)明的形成來自圖1的半導(dǎo)體管芯的示例性工藝中的后續(xù)階段；

圖5～圖9圖示依照本發(fā)明的形成圖1的半導(dǎo)體管芯的示例性工藝中的后續(xù)階段；

圖10圖示依照本發(fā)明的形成圖1的管芯的示例性工藝中的另一后續(xù)階段；

圖11圖示依照本發(fā)明的形成半導(dǎo)體管芯的另一方法的示例的實(shí)施例的放大截面圖；

圖12和圖13圖示依照本發(fā)明的形成半導(dǎo)體管芯的方法的替代實(shí)施例的示例中的階段；

圖14圖示依照本發(fā)明的使用圖1和圖11的半導(dǎo)體管芯的組裝方法的示例性實(shí)施例中的階段；

圖15圖示依照本發(fā)明的半導(dǎo)體管芯的實(shí)施例的一個(gè)示例的一部分的放大平面圖；

圖16圖示依照本發(fā)明的圖15的半導(dǎo)體管芯的放大截面圖；以及

圖17～圖19圖示依照本發(fā)明的形成圖15和圖16的半導(dǎo)體管芯的工藝的實(shí)施例的階段的示例。

為了圖示的簡單和明了起見，圖中的元件不一定按比例，并且不同圖中的相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。另外，為了說明的簡潔起見，省略了眾所周知的步驟和元件的說明和細(xì)節(jié)。為了圖的明了起見，器件結(jié)構(gòu)的摻雜區(qū)被示為具有大體上為直線的邊緣和有精確角度的拐角。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解由于摻雜劑的擴(kuò)散和激活，摻雜區(qū)的邊緣通常可能不是直線的，并且拐角可能不是精確的角度。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到詞語近似或基本上的使用意指元件的值具有預(yù)期非常接近于所述值或位置的參數(shù)。然而，如在本領(lǐng)域中眾所周知的，始終存在阻止值或位置如所述的那樣精確的微小偏差。在本領(lǐng)域中沿用已久的是達(dá)到至少百分之十(10％)(并且對(duì)于半導(dǎo)體摻雜濃度而言達(dá)到百分之二十(20％))的差異是與所述的理想目標(biāo)的合理偏差。

具體實(shí)施方式

如在下文中將進(jìn)一步看到的，本說明包括形成半導(dǎo)體管芯的方法，該方法包括在半導(dǎo)體管芯的側(cè)壁上形成導(dǎo)體作為EM屏蔽。

形成EM保護(hù)半導(dǎo)體管芯的方法的一個(gè)示例性實(shí)施例可以包括提供半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有半導(dǎo)體襯底并具有多個(gè)半導(dǎo)體管芯，所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯在該半導(dǎo)體襯底上形成且被該半導(dǎo)體襯底的要形成切單線的位置處的部分相互分離；從該半導(dǎo)體襯底的第一表面通過該半導(dǎo)體襯底的該部分來蝕刻切單線開口，從而在所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯之間產(chǎn)生空間，所述切單線形成用于所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯中的半導(dǎo)體管芯的斜坡側(cè)壁，其中所述半導(dǎo)體管芯的頂面具有比所述半導(dǎo)體管芯的底面更大的寬度；以及在所述半導(dǎo)體管芯的斜坡側(cè)壁上形成導(dǎo)體。