[發(fā)明專利]芯片鈉離子沾污失效分析實(shí)現(xiàn)方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110008053.4
• 申請日: 2011-01-15
• 公開（公告）號: CN102169107A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林康生;陳品霞
• 申請（專利權(quán)）人: 博嘉圣（福州）微電子科技有限公司
• 主分類號: G01N27/62
• 分類號: G01N27/62
• 代理公司: 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學(xué)俊

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種芯片鈉離子沾污失效分析實(shí)現(xiàn)方法，屬于芯片檢測分析領(lǐng)域。

背景技術(shù)

芯片為一種脈寬調(diào)制器芯片，在整機(jī)裝配調(diào)試過程中脈寬調(diào)制器出現(xiàn)失效。失效現(xiàn)象為啟動(dòng)和關(guān)斷電壓發(fā)生變化，表現(xiàn)了參數(shù)漂移的特征，整機(jī)滿載輸出時(shí)輸出電壓偏低。整機(jī)使用過程中有相同的失效現(xiàn)象，而且失效現(xiàn)象特征比較一致。通過現(xiàn)象分析可初步推斷出失效的原因?yàn)椋盒酒a(chǎn)過程中某個(gè)批次發(fā)生了鈉離子沾污了芯片表面事故，導(dǎo)致批次性的芯片的參數(shù)發(fā)生漂移。這樣對于鈉離子的檢測就至關(guān)重要了。因此，針對上述問題是本發(fā)明的研究目的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種芯片鈉離子沾污失效分析實(shí)現(xiàn)方法，有利于對芯片沾污程度進(jìn)行分析，了解芯片失效。

本發(fā)明的特征在于：一種芯片鈉離子沾污失效分析實(shí)現(xiàn)方法，包括次級離子質(zhì)譜儀，其特征在于，按如下步驟進(jìn)行：

a.?Decap機(jī)將成品芯片的封裝去掉，露出芯片表面；

b.?用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的離子圖譜；

c.?用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的鈉離子分布圖；

d.結(jié)合離子圖譜和鈉離子分布圖對鈉離的沾污層度進(jìn)行分析。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明利用次級離子質(zhì)譜儀檢測分析芯片鈉離子沾污情況，可有效了解芯片具體情況，防止由于鈉離子沾污造成芯片時(shí)效的事故發(fā)生。

附圖說明

圖1為本發(fā)明次級離子質(zhì)譜儀的結(jié)構(gòu)框圖。

圖2?本發(fā)明實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

參考圖1和圖2，一種芯片鈉離子沾污失效分析實(shí)現(xiàn)方法，包括次級離子質(zhì)譜儀，按如下步驟進(jìn)行：

a.?Decap機(jī)將成品芯片的封裝去掉，露出芯片表面；

b.?用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的離子圖譜；

c.?用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的鈉離子分布圖；

d.結(jié)合離子圖譜和鈉離子分布圖對鈉離的沾污層度進(jìn)行分析。

上述次級離子質(zhì)譜儀將離子束的能量值設(shè)為10KV，離子束選擇銫離子束，設(shè)置的深度分辨率為1nm，橫向分辨率為1000nm，靈敏度>10^-4，分析時(shí)間為5min。

具體實(shí)施過程如下:?用Decap機(jī)將成品芯片的封裝去掉，露出芯片表面，然后用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的離子圖譜，用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的鈉離子分布圖，對鈉離的沾污層度進(jìn)行分析。失效樣品的分析可以肯定，樣品芯片無過電燒毀。ＳＩＭＳ分析結(jié)果證明該樣品芯片有鈉離子沾污，并且芯片表面存在鈉離子聚集現(xiàn)象，樣品失效是由于樣品表面或鈍化層存在鈉離子沾污引起的。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。