[發明專利]芯片鈉離子沾污失效分析實現方法無效
| 申請號： | 201110008053.4 | 申請日： | 2011-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN102169107A | 公開（公告）日： | 2011-08-31 |
| 發明（設計）人： | 林康生;陳品霞 | 申請（專利權）人： | 博嘉圣（福州）微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/62 | 分類號： | G01N27/62 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 350007 福建省福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 鈉離子 沾污 失效 分析 實現 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片鈉離子沾污失效分析實現方法，包括次級離子質譜儀，其特征在于，按如下步驟進行：
a.?Decap機將成品芯片的封裝去掉，露出芯片表面；
b.?用次級離子質譜儀做出芯片表面的離子圖譜；
c.?用次級離子質譜儀做出芯片表面的鈉離子分布圖；
d.結合離子圖譜和鈉離子分布圖對鈉離的沾污層度進行分析。?
2.根據權利要求1所述的芯片鈉離子沾污失效分析實現方法，其特征在于：所述次級離子質譜儀將離子束的能量值設為10KV,離子束選擇銫離子束，設置的深度分辨率為1nm，橫向分辨率為1000nm,靈敏度>10-4,分析時間為5min。
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