[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110007810.6
• 申請(qǐng)日: 2011-01-14
• 公開（公告）號(hào): CN102347075A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜龍求
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/08
• 分類號(hào): G11C16/08
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;張文

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2010年7月30日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2010-0073933的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并在本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件的刷新技術(shù)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)器單元包括用作開關(guān)的晶體管和用于儲(chǔ)存表示數(shù)據(jù)的電荷的電容器。根據(jù)在存儲(chǔ)器單元中的電容器中是否存在電荷來確定數(shù)據(jù)的‘高’(邏輯值1)狀態(tài)和‘低’(邏輯值0)狀態(tài)。即，在電容器的端電壓為高的情況下，存儲(chǔ)器單元被認(rèn)為儲(chǔ)存有高狀態(tài)的數(shù)據(jù)，而在電容器的端電壓為低的情況下，存儲(chǔ)器單元被認(rèn)為儲(chǔ)存有低狀態(tài)的數(shù)據(jù)。

由于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存是以將電荷積聚于電容器中的方式來執(zhí)行的，因此理論上不發(fā)生電力消耗。然而，由于儲(chǔ)存在電容器中的電荷的初始量因MOS晶體管的PN結(jié)等所導(dǎo)致的泄漏電流而改變，數(shù)據(jù)可能丟失。為了防止這種問題，有必要在數(shù)據(jù)丟失之前從存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)，并根據(jù)讀取信息執(zhí)行正常的再充電操作。只有在周期性地重復(fù)此操作時(shí)，才能實(shí)質(zhì)地維持?jǐn)?shù)據(jù)的儲(chǔ)存。這種對(duì)存儲(chǔ)器單元再充電的過程稱為刷新操作。

在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，如果從存儲(chǔ)控制器對(duì)半導(dǎo)體器件施加刷新命令，則半導(dǎo)體器件中的所有的存儲(chǔ)體同時(shí)地執(zhí)行刷新操作。例如，順序地激活存儲(chǔ)體0至7中的所有字線0至N并儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。

在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，因?yàn)橥瑫r(shí)刷新所有存儲(chǔ)體，因此本質(zhì)上一次消耗大量的電流。此外，由于同時(shí)刷新所有存儲(chǔ)體，在刷新操作期間可能無法執(zhí)行諸如讀取操作或?qū)懭氩僮鞯牟僮鳌?/p>

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件，在此半導(dǎo)體器件中根據(jù)存儲(chǔ)體組執(zhí)行刷新操作，并且不執(zhí)行刷新操作的一些存儲(chǔ)體組可以基于命令來執(zhí)行諸如讀取操作或?qū)懭氩僮鞯牟僮鳌?/p>

本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例涉及通過允許在存儲(chǔ)體組的刷新操作時(shí)交替地刷新存儲(chǔ)體組中的存儲(chǔ)體，來減少半導(dǎo)體器件的電流消耗。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一種用于控制包括半導(dǎo)體器件的多個(gè)層疊芯片的刷新操作的系統(tǒng)包括：各自包括至少兩個(gè)存儲(chǔ)體的多個(gè)存儲(chǔ)體組；和以一對(duì)一的方式與多個(gè)存儲(chǔ)體組相對(duì)應(yīng)的多個(gè)地址計(jì)數(shù)器，其中，被選擇的存儲(chǔ)體組的刷新操作是響應(yīng)于存儲(chǔ)體組刷新命令而被執(zhí)行的。

當(dāng)施加存儲(chǔ)體組刷新命令時(shí)，與被選擇的存儲(chǔ)體組相對(duì)應(yīng)的地址計(jì)數(shù)器可以執(zhí)行地址計(jì)數(shù)。

當(dāng)施加全存儲(chǔ)體刷新命令時(shí)，多個(gè)地址計(jì)數(shù)器可以執(zhí)行地址計(jì)數(shù)，且所有的存儲(chǔ)體組可以執(zhí)行刷新操作。

可以由存儲(chǔ)體組地址來選擇存儲(chǔ)體組。

當(dāng)施加存儲(chǔ)體組刷新命令時(shí)，可以順序地刷新被選擇的存儲(chǔ)體組中的存儲(chǔ)體，而當(dāng)施加全存儲(chǔ)體刷新命令時(shí)，可以順序地刷新每個(gè)存儲(chǔ)體組中的存儲(chǔ)體。

當(dāng)施加存儲(chǔ)體組刷新命令時(shí)，可以同時(shí)地刷新被選擇的存儲(chǔ)體組中的存儲(chǔ)體，而當(dāng)施加全存儲(chǔ)體刷新命令時(shí)，可以同時(shí)地刷新每個(gè)存儲(chǔ)體組中的所有存儲(chǔ)體。

除被選擇的存儲(chǔ)體組之外的存儲(chǔ)體組可以根據(jù)命令來執(zhí)行激活、讀取或?qū)懭氩僮鳌?/p>

本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例旨在提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：各自包括至少兩個(gè)存儲(chǔ)體的多個(gè)存儲(chǔ)體組；以一對(duì)一的方式與多個(gè)存儲(chǔ)體組相對(duì)應(yīng)的多個(gè)地址計(jì)數(shù)器；以及以一對(duì)一的方式與多個(gè)地址計(jì)數(shù)器相對(duì)應(yīng)的多個(gè)地址選擇器，其中，被選擇的存儲(chǔ)體組的地址選擇器響應(yīng)于存儲(chǔ)體組刷新命令來選擇由地址計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)的地址，且多個(gè)地址選擇器響應(yīng)于全存儲(chǔ)體刷新命令來分別選擇由地址計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)的地址。

多個(gè)地址選擇器可以響應(yīng)于激活命令來選擇從半導(dǎo)體器件的外部輸入的地址。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的圖；

圖2是說明圖1所示的存儲(chǔ)體組的結(jié)構(gòu)的圖；

圖3是說明圖2所示的存儲(chǔ)體組的操作的圖；

圖4是根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的圖2所示的存儲(chǔ)體激活電路的圖；

圖5是說明圖2所示的具有圖4所示的存儲(chǔ)體激活電路的存儲(chǔ)體組的操作的圖；以及

圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的針對(duì)半導(dǎo)體器件中的每個(gè)存儲(chǔ)體組執(zhí)行個(gè)別操作這一情況的圖。

具體實(shí)施方式

下面將參照附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同的方式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于本文所提出的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例是為了使得本說明書將是清楚且完整的，并且將會(huì)向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本說明書中，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各個(gè)附圖和實(shí)施例中表示相同的部件。