[發(fā)明專利]半導體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110007810.6
• 申請日: 2011-01-14
• 公開（公告）號: CN102347075A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 姜龍求
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;張文

1.一種半導體器件，包括：

多個存儲體組，所述多個存儲體組各自包括至少兩個存儲體；和

多個地址計數(shù)器，所述多個地址計數(shù)器以一對一的方式與所述多個存儲體組相對應，

其中，被選擇的存儲體組的刷新操作是響應于存儲體組刷新命令而執(zhí)行的。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，當施加存儲體組刷新命令時，與被選擇的存儲體組相對應的地址計數(shù)器執(zhí)行地址計數(shù)。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中，當施加全存儲體刷新命令時，所述多個地址計數(shù)器執(zhí)行地址計數(shù)且所有的存儲體組執(zhí)行刷新操作。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中，由存儲體組地址來選擇所述存儲體組。

5.如權利要求3所述的半導體器件，其中，當施加所述存儲體組刷新命令時，被選擇的存儲體組中的存儲體被順序地刷新，而當施加所述全存儲體刷新命令時，每個存儲體組中的存儲體被順序地刷新。

6.如權利要求3所述的半導體器件，其中，當施加所述存儲體組刷新命令時，被選擇的存儲體組中的存儲體被同時地刷新，而當施加所述全存儲體刷新命令時，每個存儲體組中的所有存儲體被同時地刷新。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其中，除被選擇的存儲體組之外的存儲體組根據(jù)命令來執(zhí)行激活、讀取或寫入操作。

8.一種半導體器件，包括：

多個存儲體組，所述多個存儲體組各自包括至少兩個存儲體；

多個地址計數(shù)器，所述多個地址計數(shù)器以一對一的方式與所述多個存儲體組相對應；以及

多個地址選擇器，所述多個地址選擇器以一對一的方式與所述多個地址計數(shù)器相對應，

其中，被選擇的存儲體組的地址選擇器響應于存儲體組刷新命令來選擇由地址計數(shù)器計數(shù)的地址，且所述多個地址選擇器響應于全存儲體刷新命令來分別選擇由地址計數(shù)器計數(shù)的地址。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其中，所述多個地址選擇器響應于激活命令來選擇從所述半導體器件的外部輸入的地址。

10.如權利要求9所述的半導體器件，還包括多個存儲體激活電路，所述多個存儲體激活電路以一對一的方式與所述多個存儲體組相對應，其中，當施加全存儲體刷新命令時或者當施加相應的存儲體組刷新命令時，所述多個存儲體激活電路將相應的存儲體組的存儲體順序地激活。

11.如權利要求9所述的半導體器件，還包括多個存儲體激活電路，所述多個存儲體激活電路以一對一的方式與所述多個存儲體組相對應，其中，當施加全存儲體刷新命令時或者當施加相應的存儲體組刷新命令時，所述多個存儲體激活電路將相應的存儲體組的存儲體同時地激活。

12.如權利要求9所述的半導體器件，其中，當施加激活命令時，與由存儲體組地址選擇的存儲體組相對應的存儲體激活電路對存儲體地址進行譯碼并允許被選擇的存儲體組中的一個存儲體處于激活狀態(tài)。

13.如權利要求8所述的半導體器件，其中，在執(zhí)行被選擇的存儲體組的刷新操作的時間段期間，不執(zhí)行刷新操作的存儲體組根據(jù)命令來執(zhí)行激活、讀取或寫入操作。

14.如權利要求8所述的半導體器件，其中，當施加所述存儲體組刷新命令時，由存儲體組地址來選擇存儲體組。