[發明專利]鍍膜件及其制備方法

無效

• 申請號: 201110006663.0
• 申請日: 2011-01-13
• 公開（公告）號: CN102586728A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;李聰
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，其包括一基體及形成于基體表面的抗指紋層，其特征在于：該抗指紋層為納米級碳氮氟層，其化學式為C_XN_1-XF_Y，其中0.6≤X≤0.8，0.2≤Y≤0.4。

2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述抗指紋層的厚度為600-900nm。

3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述抗指紋層以磁控濺射鍍膜法形成。

4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述基體的材質為不銹鋼或玻璃。

5.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述抗指紋層與水油混合物的接觸角為108-111°。

6.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：

提供一基體；

以石墨靶為靶材，以氮氣、四氟化碳氣體為反應氣體，采用磁控濺射鍍膜法在該基體的表面濺鍍納米級碳氮氟的抗指紋層，該納米級碳氮氟的化學式為C_XN_1-XF_Y，其中0.6≤X≤0.8，0.2≤Y≤0.4。

7.如權利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：濺鍍所述抗指紋層對基體設置-50～150V的偏壓，偏壓的占空比為50％，濺鍍溫度為60-180℃，氮氣的流量為300-420sccm，四氟化碳的流量為15-70sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為300-420sccm，石墨靶的電源功率為5-10kW，濺鍍時間為20-60分鐘。

8.如權利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述制備方法還包括在濺鍍抗指紋層前對基體進行清潔前處理及等離子體清洗的步驟。

9.如權利要求8所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述等離子體清洗以氬氣為工作氣體，其流量為500sccm，對基體施加的偏壓為-400V，等離子體清洗的時間為10分鐘。