[發(fā)明專利]一種MOCVD石墨盤清潔裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110006343.5
• 申請(qǐng)日: 2011-01-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102174690A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉建平;張永紅;王峰;王懷兵;朱建軍;張書(shū)明;楊輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類號(hào): C23C16/00
• 分類號(hào): C23C16/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，其包括：氣路控制器，真空反應(yīng)室，加熱單元，壓力控制器，泵，尾氣處理裝置；帶腐蝕性的氣體與載氣進(jìn)入所述氣路控制器中，該氣路控制器將其按比率混合后通入所述的真空反應(yīng)室內(nèi)，所述的加熱單元進(jìn)行加熱控溫，且所述的壓力控制器進(jìn)行壓力控制，該混合氣體與石墨盤表面沉積物充分反應(yīng)，反應(yīng)殘留物通過(guò)泵隨載氣一起排出真空反應(yīng)室，進(jìn)入尾氣處理裝置進(jìn)行凈化處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，所述的帶腐蝕性的氣體為HCl、HF、HBr、Cl₂、BCl₃中的一種或幾種氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，所述的載氣為氮?dú)饣虻獨(dú)馀c氫氣的混合氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，所述的真空反應(yīng)室為石英玻璃質(zhì)地的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，所述的真空反應(yīng)室兩頭各有一帶水冷的法蘭。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，所述的真空反應(yīng)室內(nèi)壓力由所述的壓力控制器控制，其調(diào)控范圍為20毫巴～1000毫巴。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，所述的加熱單元采用電阻絲或射頻加熱。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、4、7任一權(quán)利要求所述的一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，所述的真空反應(yīng)室內(nèi)溫度采用熱電偶測(cè)溫。

9.根據(jù)權(quán)利要求1、4、7任一權(quán)利要求所述的一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，所述的真空反應(yīng)室內(nèi)最高加熱溫度為1400℃。

10.根據(jù)權(quán)利1所述的一種MOCVD石墨盤清潔裝置，其特征在于，所述的尾氣處理裝置為水洗式凈化處理裝置。