[發(fā)明專利]發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法、以及發(fā)光器件封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110006105.4
• 申請日: 2011-01-06
• 公開（公告）號: CN102130265A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 裵貞赫;鄭泳奎;樸徑旭;樸德炫
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及制造發(fā)光器件的方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)是將電流轉(zhuǎn)換成光的半導(dǎo)體發(fā)光器件。近來，LED的亮度得以增加，使得LED已經(jīng)被用作用于顯示裝置、車輛、或者照明裝置的光源。另外，LED能夠通過采用熒光材料或者組合具有各種顏色的LED而呈現(xiàn)出具有優(yōu)秀的光效率的白色。

同時，LED制造工藝要求高精確度，并且在LED制造工藝中可靠性和高生產(chǎn)率是非常重要的。在這點上，已經(jīng)執(zhí)行了各種學(xué)習(xí)和研究，以確保LED制造工藝的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

實施例提供能夠提高可靠性的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及制造發(fā)光器件的方法。

根據(jù)實施例的發(fā)光器件可以包括：導(dǎo)電支撐構(gòu)件；保護(hù)構(gòu)件，該保護(hù)構(gòu)件在導(dǎo)電支撐構(gòu)件的頂表面的外圍表面上方；反射層，該反射層在導(dǎo)電支撐構(gòu)件上方；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)在反射層和保護(hù)構(gòu)件上方，其中保護(hù)構(gòu)件具有大約2μm至100μm的厚度。

根據(jù)實施例的制造發(fā)光器件的方法可以包括下述步驟：形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成具有大約2μm至100μm的厚度的保護(hù)構(gòu)件；在保護(hù)構(gòu)件內(nèi)的發(fā)光結(jié)構(gòu)層上形成反射層；在保護(hù)構(gòu)件和反射層上形成導(dǎo)電支撐構(gòu)件；以及沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)的芯片邊界區(qū)域，通過執(zhí)行隔離工藝將多個芯片劃分為單獨(dú)的芯片。

根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝可以包括：主體；第一和第二電極，該第一和第二電極在主體上方；發(fā)光器件，該發(fā)光器件被電氣地連接到主體上方的第一和第二電極；以及成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件包圍發(fā)光器件，其中，發(fā)光器件包括：導(dǎo)電支撐構(gòu)件；保護(hù)構(gòu)件，該保護(hù)構(gòu)件在導(dǎo)電支撐構(gòu)件的頂表面的外圍表面上方，具有大約2μm至100μm的厚度；反射層，該反射層在導(dǎo)電支撐構(gòu)件上方；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)在反射層和保護(hù)構(gòu)件上方。

實施例能夠提供能夠提高可靠性的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及制造發(fā)光器件的方法。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的截面圖；

圖2至圖12是示出制造根據(jù)實施例的發(fā)光器件的方法的截面圖；

圖13是示出根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的截面圖；

圖14是示出根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件的截面圖；

圖15是示出根據(jù)第四實施例的發(fā)光器件的截面圖；

圖16是示出根據(jù)第五實施例的發(fā)光器件的截面圖；

圖17是示出根據(jù)第六實施例的發(fā)光器件的截面圖；

圖18是示出包括根據(jù)實施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖；

圖19是示出包括根據(jù)實施例的發(fā)光器件的背光單元的分解透視圖；以及

圖20是示出包括根據(jù)實施例的發(fā)光器件的照明單元的透視圖。

具體實施方式

在實施例的描述中，將會理解的是，當(dāng)層(或者膜)、區(qū)域、圖案、或結(jié)構(gòu)被稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一墊、或另一圖案“上”或“下”時，它能夠“直接”或“間接”位于其它襯底、層(或膜)、區(qū)域、墊、或圖案上，或者也可以存在一個或多個中間層。已經(jīng)參考附圖描述該種層的位置。

為了方便或清楚的目的，可以夸大、省略、或者示意性地繪制附圖中所示的每層的厚度和尺寸。另外，元件的尺寸沒有完全反映其實際尺寸。

在下文中，將會參考附圖來描述根據(jù)實施例的發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法、以及發(fā)光器件封裝。

<第一實施例>

圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件100的截面圖。

參考圖1，發(fā)光器件100包括支撐電極，該支撐電極具有在支撐電極的橫向側(cè)處向內(nèi)凹陷的彎曲表面172；反射層159，該反射層159被形成在是支撐電極的中心區(qū)域的第一區(qū)域上；歐姆層158，該歐姆層158被形成在反射層159上；保護(hù)構(gòu)件155，該保護(hù)構(gòu)件155被形成在第二區(qū)域上，所述第二區(qū)域被布置在位于支撐電極的中心處的第一區(qū)域周圍；發(fā)光結(jié)構(gòu)145，該發(fā)光結(jié)構(gòu)145被形成在歐姆層158和保護(hù)構(gòu)件155上；以及電極180，該電極180被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)145上。

支撐電極包括導(dǎo)電支撐構(gòu)件170和被形成在導(dǎo)電支撐構(gòu)件170上的結(jié)合層160。

發(fā)光結(jié)構(gòu)145是用于產(chǎn)生光的最小單元，并且至少包括第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層150上的有源層140、以及有源層140上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130。

電極180和導(dǎo)電支撐構(gòu)件170用作發(fā)光器件100的電極，并且將電力提供到發(fā)光結(jié)構(gòu)145。