[發(fā)明專利]發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法、以及發(fā)光器件封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110006105.4
• 申請日: 2011-01-06
• 公開（公告）號(hào): CN102130265A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裵貞赫;鄭泳奎;樸徑旭;樸德炫
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.一種發(fā)光器件，包括：

支撐電極，所述支撐電極包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域具有比所述第一區(qū)域的厚度薄的厚度和被形成在所述第一區(qū)域周圍；

保護(hù)構(gòu)件，所述保護(hù)構(gòu)件在所述支持電極的所述第二區(qū)域上方；

反射層，所述反射層在所述支撐電極上方；以及

發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)位于所述反射層和所述保護(hù)構(gòu)件上方，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、以及被插入在所述第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)構(gòu)件具有大約2μm至大約10μm的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)構(gòu)件從所述第二區(qū)域向上突出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述支撐電極被形成在其具有彎曲的空腔的橫向側(cè)處。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)構(gòu)件包括從由SiO₂、Si_xO_y、Si₃N₄、Si_xN_y、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂、ITO、AZO以及ZnO組成的組中選擇的至少一個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述支撐電極包括從由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、CuW以及被摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體襯底中的至少一個(gè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括歐姆層，所述歐姆層在所述反射層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中，所述歐姆層包括從由ITO、Ni、Pt、Ir、Rh以及Ag組成的組中選擇的至少一個(gè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中，所述反射層包括從由Ag、Al、Pt、Pd以及Cu組成的組中選擇的至少一個(gè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述支撐電極包括導(dǎo)電支撐構(gòu)件和在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上方的結(jié)合層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中，所述結(jié)合層包括從由Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta組成的組中選擇的至少一個(gè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)構(gòu)件的內(nèi)表面被傾斜。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，所述結(jié)合層的第一區(qū)域具有的厚度大于所述結(jié)合層的第二區(qū)域的厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括電流阻擋層，所述電流阻擋層在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述反射層之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)構(gòu)件的厚度是從所述有源層到所述保護(hù)構(gòu)件的范圍的厚度的至少兩倍。