[發明專利]有機發光二極管顯示器有效
| 申請號: | 201110004261.7 | 申請日: | 2011-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN102157543A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 金素延;韓盛旭;韓東垣;郭鎮浩;金孝真 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 羅正云;王琦 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
技術領域
本發明所描述的技術總體上涉及有機發光二極管(OLED)顯示器。更具體地說,所描述的技術總體上涉及采用薄膜封裝(TFE)結構的有機發光二極管(OLED)顯示器。
背景技術
有機發光二極管(OLED)顯示器包括具有空穴注入電極(陽極)、有機發射層和電子注入電極(陰極)的有機發光元件。
發明內容
本發明的一方面是有機發光二極管(OLED)顯示器,其具有薄膜封裝層,用于保護免受外部環境之害,并抑制有機發光元件的惡化。
另一方面是一種有機發光二極管(OLED)顯示器,包括:基板,該基板包括有機發光元件;以及覆蓋所述有機發光元件且與所述基板相結合的封裝部。該封裝部具有沉積有有機層和無機層的結構,所述無機層和所述有機層的各個端部直接接觸所述基板,并且其中所述有機層比所述無機層厚。
可以提供一個以上無機層和有機層,并可以使它們交替沉積。
所述封裝部中布置得離所述有機發光元件最近的第一層和所述封裝部中布置得離所述有機發光元件最遠的第n層可以是無機層。
無機層和有機層可以作為一對形成子封裝部,并且沉積了n個子封裝部(最好,n=2)。
在n個子封裝部中,第n子封裝部的無機層的面積可以大于第n-1子封裝部的無機層的面積。
在n個子封裝部中,第n子封裝部的有機層的面積可以大于第n-1子封裝部的有機層的面積。
可以進一步包括布置在所述有機發光元件與所述封裝部之間的光功能層,并且所述光功能層可以是紫外(UV)射線阻擋層。
所述光功能層的厚度可以在20nm到200nm之間的范圍內,并且所述光功能層的厚度可以在40nm到150nm之間的范圍內。
所述光功能層可以包括選自三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、二苯甲酮、光壓克力(photoacryl)、BaF2、CsF、Na5Al3F14、KCl和SiO2中的一種材料。
所述光功能層可以是沉積有具有不同折射率的第一層和第二層的反射層。
所述有機層可以是紫外(UV)硬化材料,并且所述第一層和所述第二層的光學厚度是用于硬化所述有機層的紫外(UV)波長的λ/4。
第一層可以包括選自三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、二苯甲酮、光壓克力、BaF2、CsF、Na5Al3F14、KCl和SiO2中的一種材料。
第二層可以包括選自氮化硅(SiN)、Cu2O、Fe2O3、TiO2和ZnSe中的一種材料。
所述有機層的厚度可以至少是所述無機層的厚度的5倍。另一方面是一種有機發光二極管(OLED)顯示器,包括:形成在基板上方的有機發光元件;以及覆蓋所述有機發光元件的封裝部,其中所述封裝部包括至少一個有機層和至少一個無機層,其中所述有機層具有端部,其中所述無機層具有端部,其中所述有機層和所述無機層的端部直接接觸所述基板,并且其中所述有機層比所述無機層厚。
在上述顯示器中,封裝部包括多個有機層和相對于所述有機層交替形成的多個無機層。在上述顯示器中,所述封裝部包括形成得離所述有機發光元件最近的第一層和形成得離所述有機發光元件最遠的第n層,并且其中所述第一層和第n層由無機材料形成。
在上述顯示器中,一個無機層和一個有機層彼此接觸,成一對地形成子封裝部,其中所述封裝部包括n個子封裝部,并且其中所述第n子封裝部比第n-1子封裝部離所述有機發光元件遠。在上述顯示器中,所述第n子封裝部的無機層的面積大于所述第n-1子封裝部的無機層的面積。
在上述顯示器中,所述第n子封裝部的有機層的面積大于所述第n-1子封裝部的有機層的面積。上述顯示器進一步包括:插置于所述有機發光元件與所述封裝部之間的光功能層。在上述顯示器中,所述光功能層是紫外(UV)輻射阻擋層。在上述顯示器中,光功能層的厚度在約20nm到約200nm的范圍之內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





