[發明專利]有機發光二極管顯示器有效
| 申請號: | 201110004261.7 | 申請日: | 2011-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN102157543A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 金素延;韓盛旭;韓東垣;郭鎮浩;金孝真 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 羅正云;王琦 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器,包括:
形成在基板上方的有機發光元件;以及
覆蓋所述有機發光元件的封裝部,其中該封裝部包括至少一個有機層和至少一個無機層,其中所述無機層和所述有機層的各個端部直接接觸所述基板,并且其中所述有機層比所述無機層厚。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中所述封裝部包括多個有機層和相對于所述有機層交替形成的多個無機層。
3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器,其中所述封裝部包括形成得離所述有機發光元件最近的第一層和形成得離所述有機發光元件最遠的第n層,并且其中所述第一層和所述第n層由無機材料形成。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中彼此接觸的一個無機層和一個有機層成一對地形成子封裝部,其中所述封裝部包括n個子封裝部,并且其中第n子封裝部比第n-1子封裝部離所述有機發光元件遠。
5.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示器,其中所述第n子封裝部的無機層的面積大于所述第n-1子封裝部的無機層的面積。
6.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示器,其中所述第n子封裝部的有機層的面積大于所述第n-1子封裝部的有機層的面積。
7.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,進一步包括:
插置于所述有機發光元件與所述封裝部之間的光功能層。
8.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示器,其中所述光功能層是紫外輻射阻擋層。
9.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示器,其中所述光功能層的厚度在20nm到200nm的范圍之內。
10.根據權利要求9所述的有機發光二極管顯示器,其中所述光功能層的厚度在40nm到150nm的范圍之內。
11.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示器,其中所述光功能層由下列至少一種材料形成:三-8-羥基喹啉鋁、二苯甲酮、光壓克力、BaF2、CsF、Na5Al3F14、KCl和SiO2。
12.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示器,其中所述光功能層是包括具有不同折射率的第一層和第二層的反射層。
13.根據權利要求12所述的有機發光二極管顯示器,其中所述有機層由紫外硬化材料形成,并且其中所述第一層和所述第二層的光學厚度為用于硬化所述有機層的紫外輻射的波長的λ/4。
14.根據權利要求12所述的有機發光二極管顯示器,其中所述第一層由下列至少一種形成:三-8-羥基喹啉鋁、二苯甲酮、光壓克力、BaF2、CsF、Na5Al3F14、KCl和SiO2,并且其中所述第二層由下列至少一種形成:氮化硅、Cu2O、Fe2O3、TiO2和ZnSe。
15.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中所述有機層的厚度至少是所述無機層的厚度的5倍。
16.一種有機發光二極管顯示器,包括:
形成在基板上方的有機發光元件;以及
覆蓋所述有機發光元件的封裝層,
其中所述封裝層包括多個有機層和相對于所述有機層交替形成的多個無機層,其中各個有機層具有兩個對立的端部,其中各個無機層具有兩個對立的端部,其中所述有機層和所述無機層的端部是非直線的并接觸所述基板,并且其中所述無機層之一形成得最接近且直接接觸所述有機發光元件。
17.根據權利要求16所述的有機發光二極管顯示器,其中所述封裝層包括離所述有機發光元件最遠的無機層。
18.根據權利要求17所述的有機發光二極管顯示器,進一步包括插置于所述有機發光元件與所述封裝層之間的光功能層,其中所述光功能層接觸所述基板以及所述有機層的端部和所述無機層的端部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
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H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





