[發明專利]一種小型化無振快速溫變試驗裝置

無效

• 申請號: 201110003740.7
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102169066A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 郭文正;黃騰超;陳侃;舒曉武
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G01N3/02
• 分類號: G01N3/02;G01N3/60;H05K7/20
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

技術領域

本發明涉及溫變試驗裝置，尤其涉及一種小型化無振快速溫變試驗裝置。

背景技術

在光學相干檢測中，周圍環境的微小變化就會對檢測精度造成很大影響，甚至造成檢測結果錯誤，而評價熱沖擊應力對光學系統或部件的影響時必須保證測試環境不受其他應力因素的影響，但是現有的光學相干檢測系統通常采用電學系統的檢測設備，從而引入了各種外部噪聲，影響評估結果。

為解決此問題，本發明采用無振動的半導體制冷器作為制冷單元，多水道水冷臺作為散熱單元，絕熱隔板密封，絕熱材料顆粒作為填充，很好的排除了各種外界干擾，既可以加熱又可以制冷，溫變速率達到30℃/分鐘，可廣泛應用于光學相干檢測領域，尤其是分離振動干擾的高精度相干檢測系統。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術的不足，提供一種小型化無振快速溫變試驗裝置。

小型化無振快速溫變試驗裝置包括下箱體、上箱體、試驗腔體；下箱體包括下絕熱隔板、下半導體制冷器固定套件、下水冷臺、下支撐螺柱、下大功率半導體制冷器、下雙級半導體制冷器、下絕熱材料顆粒層和下水管口，上箱體包括上絕熱隔板、上半導體制冷器固定套件、上水冷臺、上支撐螺柱、上大功率半導體制冷器、上雙級半導體制冷器、絕熱材料顆粒層和上水管口；下箱體內中心從下到上依次設有下支撐螺柱、下水冷臺、下半導體制冷器固定套件，下半導體制冷器固定套件內從下到上依次設有下大功率半導體制冷器、下雙級半導體制冷器，在下支撐螺柱、下水冷臺周圍填充有下絕熱材料顆粒層，在下半導體制冷器固定套件周圍設有下絕熱隔板；上箱體內中心從上到下依次設有上支撐螺柱、上水冷臺、上半導體制冷器固定套件，上半導體制冷器固定套件內從上到下依次設有上大功率半導體制冷器、上雙級半導體制冷器，在上支撐螺柱、上水冷臺周圍填充有上絕熱材料顆粒層，在上半導體制冷器固定套件周圍設有上絕熱隔板；由下絕熱隔板、下半導體制冷器固定套件、下雙級半導體制冷器、上絕熱隔板、上半導體制冷器固定套件和上雙級半導體制冷器圍成試驗腔體。

所述的試驗腔體下部外側設有下絕熱隔板凹槽，在下絕熱隔板上設有下絕熱隔板數據線槽和下絕熱隔板固定螺釘通孔。所述的試驗腔體上部外側設有上絕熱隔板凸臺，在上絕熱隔板上設有上絕熱隔板數據線槽和上絕熱隔板固定螺釘通孔。所述的下水冷臺設有兩個下水冷臺進水口和兩個下水冷臺出水口，下水冷臺進水口和下水冷臺出水口通過下水冷臺水道相連通。所述的上水冷臺設有兩個上水冷臺進水口和兩個上水冷臺出水口，上水冷臺進水口和上水冷臺出水口通過上水冷臺水道相連。??所述的下水冷臺上設有下大功率半導體制冷器下沉凹槽、下半導體制冷器固定套件固定螺孔和下絕熱隔板固定螺孔。所述的上水冷臺上設有上大功率半導體制冷器下沉凹槽、上半導體制冷器固定套件固定螺孔和上絕熱隔板固定螺孔。所述的下半導體制冷器固定套件上設有下大功率制冷器固定卡槽、下雙級制冷器固定卡槽和下制冷器電源線槽，下半導體制冷器固定套件通過下半導體制冷器通孔固定于下水冷臺上。所述的上半導體制冷器固定套件設有上大功率制冷器固定卡槽、上雙級制冷器固定卡槽和上制冷器電源線槽，上半導體制冷器固定套件通過上半導體制冷器通孔固定于上水冷臺上。

光學相干檢測對外界環境有很高要求，任何外界的擾動對會對檢測精度造成很大影響甚至造成檢測結果錯誤，而評價熱沖擊應力對光學系統或部件的影響時必須保證測試環境不受其他應力因素的影響，但是現有的光學相干檢測系統通常采用電學系統的檢測設備，從而引入額外的機械振動，影響評估結果。本發明采用無振動的半導體制冷器作為制冷單元，多水道水冷臺作為散熱單元，絕熱隔板密封，絕熱材料顆粒作為填充，很好的排除了各種外界干擾，既可以加熱又可以制冷，溫變速率達到30℃/分鐘，可廣泛應用于光學相干檢測領域，尤其是分離振動干擾的高精度相干檢測系統。

附圖說明

圖1為小型化無振快速溫變試驗裝置的結構示意圖；

圖2為本發明的下絕熱隔板和上絕熱隔板示意圖；

圖3為本發明的下水冷臺和上水冷臺內部水道走向示意圖；

圖4為本發明的下水冷臺和上水冷臺表面俯視圖；

圖5為本發明的下半導體制冷器固定套件和上半導體制冷器固定套件示意圖；