[發明專利]晶片的加工方法

無效

• 申請號: 201110003502.6
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102152413A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 中村勝;湯平泰吉;小清水秀輝;竹下元;三原拓也
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B24B7/22;H01L21/78;H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

技術領域

本發明涉及一種將晶片沿間隔道分割成一個個器件的晶片的加工方法，所述晶片在表面通過呈格子狀地形成的間隔道劃分出多個區域、并且在該多個區域中形成有器件。

背景技術

在半導體器件制造工序中，在大致圓板形狀的半導體晶片的表面，通過呈格子狀地排列的被稱為間隔道的分割預定線劃分出多個區域，在該劃分出的區域中形成IC(Integrated?Circuit：集成電路)、LSI(Large?Scale?Integration：大規模集成電路)等器件。然后，通過沿著間隔道將半導體晶片切斷而將形成有器件的區域分割開來，從而制造出一個個器件。此外，關于在藍寶石基板或碳化硅基板的表面上層疊有氮化鎵類化合物半導體等的光器件晶片，也通過沿著間隔道進行切斷而分割成一個個發光二極管、激光二極管等光器件，并廣泛地應用于電氣設備。

作為沿著間隔道分割晶片的方法，嘗試了如下的激光加工方法：使用相對于晶片具有透射性的脈沖激光光線，將聚光點對準應當分割的區域的內部地照射脈沖激光光線。在使用了該激光加工方法的分割方法中，從晶片的一個面側將聚光點對準晶片內部地沿著間隔道照射脈沖激光光線，該脈沖激光光線的波長為相對于晶片具有透射性的波長，從而沿著間隔道在晶片的內部連續地形成變質層，沿著通過形成該變質層而強度降低的間隔道施加外力，由此將晶片分割成一個個器件(例如，參照專利文獻1)。

然而，在利用上述專利文獻1所記載的分割方法分割出的一個個器件的側面殘存有變質層，因此存在器件的抗彎強度下降而使器件的品質下降的問題。特別地，在光器件中，如果在側面殘存有變質層，則還存在光器件發出的光被變質的部分吸收而亮度下降的問題。

為了消除這種問題，提出有如下所述的晶片的加工方法：沿著間隔道照射相對于晶片具有透射性的激光光線，由此從晶片的背面形成預定厚度的變質層，在沿著形成有變質層的間隔道將晶片分割之后，對晶片的背面進行磨削從而將變質層除去(例如參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特許第3408805號公報

專利文獻2：日本特開2005-86161號公報

如果像上述專利文獻2所公開的晶片的加工方法那樣利用磨削磨具對已經分割成一個個器件的晶片的背面進行磨削，則存在由于磨具對分割后的器件的周緣作用的沖擊力而導致在器件的周緣產生裂紋從而損傷器件的情況。此外，在下述情況下也會產生同樣的問題：通過對由石英形成的晶片如上所述地沿著間隔道照射相對于晶片具有透射性的波長的激光光線，來從晶片的背面形成預定厚度的變質層，在沿著形成有變質層的間隔道將晶片分割之后，對晶片的背面進行磨削從而將變質層除去，由此來制造蓋玻片(cover?glass)。

發明內容

本發明就是鑒于上述事實而完成的，本發明的主要技術課題在于提供一種能夠在不使一個個器件的周緣產生裂紋的情況下將側面的變質層除去的晶片的加工方法。

為了解決上述主要技術課題，根據本發明，提供一種晶片的加工方法，在該晶片的加工方法中，沿著間隔道分割晶片，所述晶片在表面通過呈格子狀地形成的間隔道劃分出多個區域，并且在所述多個區域中形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，所述晶片的加工方法包含以下工序：晶片磨削工序，在該晶片磨削工序中，對晶片的背面進行磨削，從而使晶片的厚度形成為預定的厚度；變質層形成工序，在該變質層形成工序中，從實施了所述晶片磨削工序后的晶片的背面側沿著間隔道照射相對于晶片具有透射性的激光光線，在晶片的內部沿著間隔道形成距離晶片的表面如下深度的變質層，所述深度大于器件的完成厚度；晶片分割工序，在該晶片分割工序中，對實施了所述變質層形成工序后的晶片施加外力，沿著形成有變質層的間隔道將晶片分割成一個個器件；以及變質層除去工序，在該變質層除去工序中，對實施了所述晶片分割工序后的晶片的背面進行磨削，使晶片形成為器件的完成厚度，由此將變質層除去，所述變質層除去工序使用如下的磨削磨具來實施：該磨削磨具通過利用陶瓷結合劑對粒徑為0.5μm～7μm的金剛石磨粒進行固定而形成。

在本發明中，變質層除去工序使用如下的磨削磨具來實施：該磨削磨具通過利用陶瓷結合劑對粒徑為0.5μm～7μm的金剛石磨粒進行固定而形成，其中，在所述變質層除去工序中，對實施了分割工序的晶片的背面進行磨削，使晶片形成為器件的完成厚度，由此將變質層除去，而在所述分割工序中，沿著形成有變質層的間隔道將晶片分割成一個個器件，因此，即便晶片被分割成了一個個器件，由于磨具對被分割開的器件的周緣作用的沖擊力小，因此不會在器件產生裂紋。

附圖說明

圖1是示出作為晶片的半導體晶片的立體圖和主要部分放大剖視圖。