[發明專利]晶片的加工方法

無效

• 申請號: 201110003502.6
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102152413A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 中村勝;湯平泰吉;小清水秀輝;竹下元;三原拓也
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B24B7/22;H01L21/78;H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

1.一種晶片的加工方法，在該晶片的加工方法中，沿著間隔道分割晶片，所述晶片在表面通過呈格子狀地形成的間隔道劃分出多個區域，并且在所述多個區域中形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，

所述晶片的加工方法包含以下工序：

晶片磨削工序，在該晶片磨削工序中，對晶片的背面進行磨削，從而使晶片的厚度形成為預定的厚度；

變質層形成工序，在該變質層形成工序中，從實施了所述晶片磨削工序后的晶片的背面側沿著間隔道照射相對于晶片具有透射性的激光光線，在晶片的內部沿著間隔道形成距離晶片的表面如下深度的變質層，所述深度大于器件的完成厚度；

晶片分割工序，在該晶片分割工序中，對實施了所述變質層形成工序后的晶片施加外力，沿著形成有變質層的間隔道將晶片分割成一個個器件；以及

變質層除去工序，在該變質層除去工序中，對實施了所述晶片分割工序后的晶片的背面進行磨削，使晶片形成為器件的完成厚度，由此將變質層除去，

所述變質層除去工序使用如下的磨削磨具來實施：該磨削磨具通過利用陶瓷結合劑對粒徑為0.5μm～7μm的金剛石磨粒進行固定而形成。