[發明專利]半導體工藝中的清洗方法

無效

• 申請號: 201110003452.1
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102592965A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 蔡宗洵
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/00;B08B3/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

技術領域

本發明涉及一種半導體工藝中的清洗方法，且特別是涉及一種改善靜電堆積的半導體工藝中的清洗方法。

背景技術

半導體工藝中所產生的靜電以及工藝所產生的污染物粒子及金屬污染物不但會吸附于半導體晶片表面造成污染，而且更會引發電荷大量累積，破壞元件圖案使其變形，甚至有因快速放電而點燃有機溶液引起火花或爆炸的危險。因此，半導體的每一個工藝，通常都需要清洗步驟，晶片經過清洗后可去除因工藝所產生的粒子及金屬的污染物，進而使完成的集成電路良率提高。

然而，傳統以清水沖洗的清洗方式，對于先進工藝的晶片表面沖擊過大，容易造成元件圖案的損壞。因此必須改采用水霧來清洗晶片表面。圖1為根據已知的半導體晶片工藝步驟所繪示的水霧清洗步驟的示意圖。已知的水霧清洗方法主要是利用噴嘴102混合氮氣噴出水霧104來清洗半導體表面106。

然而，在與晶片半導體表面106接觸瞬間，噴出的水霧104易引發先前工藝中累積的電荷108產生類似火山爆發的靜電荷噴發現象，造成半導體晶片上集成電路圖案的損傷和變形。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的就是在提供一種半導體工藝中的清洗方法，其改善了靜電堆積的問題。

本發明提出一種半導體工藝中的清洗方法，此清洗方法包括下述步驟：首先提供半導體基板。提供水霧持續第一期間以對半導體基板進行清洗。同時于第一期間的起始點或起始點之前，在基板上形成水膜，并維持此水膜，時間長度持續約第二期間，并且使第二期間與第一期間至少部分重疊，用來緩沖水霧所帶來的影響。

在本發明的實施例中，上述半導體基板可為晶片。

在本發明的實施例中，上述半導體基板可為旋轉式半導體基板，此旋轉式半導體基板的轉速可為2000～30rpm。

在本發明的實施例中，清洗半導體基板的途徑可為自距離半導體基板中心15毫米(mm)處開始，在半導體基板中心與距離半導體基板邊緣3毫米處(mm)之間來回清洗。

在本發明的實施例中，上述水霧由氮氣源霧化第一去離子水形成。

在本發明的實施例中，上述氮氣源的流量可為5～100公升/分(l/min)。

在本發明的實施例中，上述形成水霧的第一去離子水流量可為10～300毫升/分(ml/min)。

在本發明的實施例中，上述水膜可由第二去離子水覆蓋于半導體基板所形成。

在本發明的實施例中，上述水膜中還包括低電阻氣體溶于水膜之中。

在本發明的實施例中，上述低電阻氣體可為二氧化碳。

在本發明的實施例中，上述形成水膜的第二去離子水流量可為1500毫升/分(ml/min)。

在本發明的實施例中，上述形成該水膜的第二去離子水流量可隨時間遞減。

在本發明的實施例中，上述形成水膜的第二去離子水流量大于形成水霧的第一去離子水流量。

在本發明的實施例中，上述水霧的噴出點和水膜的噴出點之間距離小于3厘米。

在本發明的實施例中，上述第二期間可為20微秒(μsecond)～200秒。

在本發明的實施例中，上述第二期間實質小于第一期間。

在本發明的實施例中，上述第二期間與第一期間同步。

在本發明的實施例中，上述第一期間之前還包括進行化學清洗過程。

本發明提出的半導體工藝中的清洗方法，是于第一期間噴出水霧來清洗半導體基板，同時于此第一期間起始點或之前，在半導體上形成水膜，并維持此水膜，時間長度持續約第二期間，并且使第二期間與第一期間至少部分重疊，用來緩沖水霧所帶來的影響，進而避免半導體表面出現靜電爆炸現象，降低對半導體晶片上圖案的損傷。

為讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1根據已知的半導體晶片在工藝步驟，繪示進行水霧清洗步驟的清洗方法示意圖。

圖2根據本發明的實施例繪示半導體工藝的清洗方法示意圖。

附圖標記說明

102、202：水霧噴嘴????????????????104、208：水霧

106、206：半導體基板??????????????108、212：靜電荷

204：流體噴嘴?????????????????????210：水膜

具體實施方式