[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝中的清洗方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110003452.1
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號(hào): CN102592965A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡宗洵
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;B08B3/00;B08B3/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導(dǎo)體工藝中的清洗方法，包括：

提供半導(dǎo)體基板；

提供水霧持續(xù)第一期間，以對該半導(dǎo)體基板進(jìn)行清洗；以及

于該第一期間的起始點(diǎn)或之前，在該基板上形成水膜，并維持該水膜達(dá)第二期間，用來緩沖該水霧，其中該第二期間與該第一期間至少部分重疊。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該半導(dǎo)體基板為晶片。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該半導(dǎo)體基板為旋轉(zhuǎn)式半導(dǎo)體基板，該旋轉(zhuǎn)式半導(dǎo)體基板的轉(zhuǎn)速為2000～30rpm。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中清洗該半導(dǎo)體基板的途徑為自距離該半導(dǎo)體基板中心15毫米處開始，在該半導(dǎo)體基板中心與距離該半導(dǎo)體基板邊緣3毫米處之間來回清洗。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該水霧由氮?dú)庠挫F化第一去離子水形成。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該氮?dú)庠吹牧髁繛?～100公升/分。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中形成該水霧的該第一去離子水流量為10～300毫升/分。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該水膜是由第二去離子水覆蓋于該半導(dǎo)體基板所形成。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該水膜中還包括低電阻氣體溶于該水膜之中。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該低電阻氣體為二氧化碳。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中形成該水膜的該第二去離子水流量為1500毫升/分。

12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中形成該水膜的該第二去離子水流量可隨時(shí)間遞減。

13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中形成該水膜的該第二去離子水流量大于形成該水霧的該第一去離子水流量。

14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該水霧的噴出點(diǎn)和該水膜的噴出點(diǎn)之間距離小于3厘米。

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該第二期間為20微秒～200秒。

16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該第二期間小于該第一期間。

17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中該第二期間與該第一期間同步。

18.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中于該第一期間之前還包括進(jìn)行化學(xué)清洗過程。