[發(fā)明專(zhuān)利]雙光阻墻及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110002459.1
• 申請(qǐng)日: 2011-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102591138A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施林波;王曄曄
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 昆山西鈦微電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/00
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/00;G03F1/64;H01L21/027
• 代理公司: 昆山四方專(zhuān)利事務(wù)所 32212
• 代理人: 盛建德

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種雙光阻墻，尤其涉及一種應(yīng)用于硅穿孔晶圓級(jí)封裝中針對(duì)較大尺寸芯片的雙光阻墻及其制備方法。

背景技術(shù)

在硅穿孔(Through?Silicon?Via，簡(jiǎn)稱(chēng)TSV)晶圓封裝領(lǐng)域，在光玻璃表面設(shè)計(jì)和制備光阻墻，通過(guò)涂布光刻膠、曝光、顯影、烘烤等步驟在玻璃表面制備具有尺寸要求的光阻墻(Cavity?Wall)形成格狀凹槽，類(lèi)似腔體。而目前針對(duì)光阻墻的設(shè)計(jì)和制備都是單層，這就導(dǎo)致了在封裝較大尺寸的芯片時(shí)，光阻墻(Cavity?Wall)與晶圓(Wafer)的膠合力不夠，從而在后續(xù)的制程中容易引起分層、Via孔滲液等封裝異常；若只增加光阻墻的寬度會(huì)導(dǎo)致溢膠、膠泡等不良。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種雙光阻墻及其制備方法，該雙光阻墻可有效增加與晶圓的膠合面積，并可減少溢膠及膠不均勻?qū)е碌臍馀轃o(wú)膠風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明為了解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種雙光阻墻的制備方法，主要包括玻璃清洗、涂布光刻膠、曝光、顯影和烘烤等步驟，在所述曝光步驟采用雙光阻墻光罩，該雙光阻墻光罩上對(duì)稱(chēng)的設(shè)有若干個(gè)雙光阻墻光罩單元，所述每個(gè)雙光阻墻光罩單元包括光罩單元內(nèi)光阻墻、光罩單元外光阻墻和光罩單元切割道，所述光罩單元外光阻墻設(shè)于所述光罩單元內(nèi)光阻墻外圍，所述光罩單元切割道設(shè)于所述光罩單元內(nèi)光阻墻和所述光罩單元外光阻墻之間；所述曝光步驟的曝光能量為800～1000mJ/cm²；所述顯影步驟采用10～11g/L的Na₂CO₃溶液，顯影3～5min。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述光刻膠由光刻膠與光刻膠硬化劑按質(zhì)量比5∶1混合而成，粘度為8000～12000cp。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述涂布光刻膠時(shí)的機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)速為1200～1500rpm。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述烘烤步驟的溫度為135～155℃，烘烤時(shí)間為1h。

另外本發(fā)明還提供一種雙光阻墻，包括若干個(gè)雙光阻墻單元，所述雙光阻墻單元包括內(nèi)光阻墻、外光阻墻和切割道，所述外光阻墻設(shè)于所述內(nèi)光阻墻的外圍，所述切割道設(shè)于所述內(nèi)光阻墻和外光阻墻之間。

本發(fā)明的有益效果是：清洗干凈的玻璃涂布光刻膠后，通過(guò)雙光阻墻的光罩以及特定的曝光參數(shù)進(jìn)行曝光，最后經(jīng)顯影和烘烤，在玻璃表面形成雙光阻墻。該雙光阻墻相對(duì)于單光阻墻可增加光阻墻與晶圓的膠合面積，從而增加晶圓與光阻墻的結(jié)合力，減少空腔體積，減少在高溫時(shí)氣體膨脹導(dǎo)致分層的可能性；同時(shí)，雙光阻墻增加了封裝較大尺寸芯片的可靠性。另外，在兩道光阻墻間留有空隙，可為多余的膠提供儲(chǔ)存空間，減少溢膠及膠分布不均勻?qū)е碌臍馀轃o(wú)膠風(fēng)險(xiǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明所述雙光阻墻光罩結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明所述雙光阻墻光罩單元結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明所述雙光阻墻單元結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

一種雙光阻墻的制備方法，主要包括玻璃清洗、涂布光刻膠、曝光、顯影和烘烤等步驟，在曝光步驟采用雙光阻墻光罩，該雙光阻墻光罩上對(duì)稱(chēng)的設(shè)有若干個(gè)雙光阻墻光罩單元1，每個(gè)雙光阻墻光罩單元包括光罩單元內(nèi)光阻墻11、光罩單元外光阻墻13和光罩單元切割道12，光罩單元外光阻墻設(shè)于光罩單元內(nèi)光阻墻外圍，光罩單元切割道設(shè)于光罩單元內(nèi)光阻墻和光罩單元外光阻墻之間；曝光步驟的曝光能量為800～1000mJ/cm²；顯影步驟采用10～11g/L的Na₂CO₃溶液，顯影3～5min。

上述光刻膠由光刻膠與光刻膠硬化劑按質(zhì)量比5∶1混合而成，粘度為8000～12000cp；上述涂布光刻膠時(shí)的機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)速為1200～1500rpm；上述烘烤步驟的溫度為135～155℃，烘烤時(shí)間為1h。

一種雙光阻墻，包括若干個(gè)雙光阻墻單元，雙光阻墻單元包括內(nèi)光阻墻4、外光阻墻6和切割道5，外光阻墻設(shè)于內(nèi)光阻墻的外圍，切割道設(shè)于內(nèi)光阻墻和外光阻墻之間。