[發明專利]雙光阻墻及其制備方法

有效

• 申請號: 201110002459.1
• 申請日: 2011-01-07
• 公開（公告）號: CN102591138A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 施林波;王曄曄
• 申請（專利權）人: 昆山西鈦微電子科技有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F1/64;H01L21/027
• 代理公司: 昆山四方專利事務所 32212
• 代理人: 盛建德

1.一種雙光阻墻的制備方法，主要包括玻璃清洗、涂布光刻膠、曝光、顯影和烘烤等步驟，其特征在于：在所述曝光步驟采用雙光阻墻光罩，該雙光阻墻光罩上對稱的設有若干個雙光阻墻光罩單元(1)，所述每個雙光阻墻光罩單元包括光罩單元內光阻墻(11)、光罩單元外光阻墻(13)和光罩單元切割道(12)，所述光罩單元外光阻墻設于所述光罩單元內光阻墻外圍，所述光罩單元切割道設于所述光罩單元內光阻墻和所述光罩單元外光阻墻之間；所述曝光步驟的曝光能量為800～1000mJ/cm²；所述顯影步驟采用10～11g/L的Na₂CO₃溶液，顯影3～5min。

2.根據權利要求1所述的雙光阻墻的制備方法，其特征在于：所述光刻膠由光刻膠與光刻膠硬化劑按質量比5∶1混合而成，粘度為8000～12000cp。

3.根據權利要求2所述的雙光阻墻的制備方法，其特征在于：所述涂布光刻膠時的機臺轉速為1200～1500rpm。

4.根據權利要求1所述的雙光阻墻的制備方法，其特征在于：所述烘烤步驟的溫度為135～155℃，烘烤時間為1h。

5.一種根據權利要求1至4中任一項所述的制備方法制備的雙光阻墻，其特征在于：所述雙光阻墻包括若干個雙光阻墻單元，所述雙光阻墻單元包括內光阻墻(4)、外光阻墻(6)和切割道(5)，所述外光阻墻設于所述內光阻墻的外圍，所述切割道設于所述內光阻墻和外光阻墻之間。