[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201110002450.0
• 申請日: 2011-01-07
• 公開（公告）號: CN102142398A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 武藤修康
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/60;H01L23/00;H01L21/98
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

相關申請的交叉引用

包括說明書、附圖和摘要的2010年1月8日提交的日本專利申請2010-2957的公開的內容通過引用整體地結合到本申請中。

背景技術

本發明涉及用于半導體器件的制造技術，并且特別地涉及有效地適用于在切割薄形半導體晶片時發生的芯片開裂的減少。

已經公開了用于在布線板上逐階層壓多個半導體元件的結構(例如，專利文獻1)。在此結構中，在布線板上逐階地層壓包括第一元件組的多個半導體元件，并沿著與第一元件組上的層的方向相反的方向在第一元件組上逐階地層壓包括第二元件組的多個半導體元件。

已經公開了用于在布線板上逐階層壓多個半導體元件的另一結構(例如，專利文獻2)。在此結構中，在布線板上逐階地層壓包括第一元件組的多個半導體元件；沿著與第一元件組上的層的方向相反的方向在第一元件組上逐階地層壓包括第二元件組的多個半導體元件；以及在中間具有絕緣粘合層的情況下在第一元件組中的最高層中的半導體元件之上直接層壓第二元件組中的最低層中的半導體元件。

已經公開了用于在布線板上逐階層壓多個半導體元件的另一結構(例如，專利文獻3)。在此結構中，在布線板上逐階地層壓包括第一元件組的多個半導體元件；沿著與第一元件組上的層的方向相反的方向在第一元件組上逐階地層壓包括第二元件組的多個半導體元件；以及位于最高層中的半導體元件比位于其下面的半導體元件厚。

[專利文獻1]

日本未審查專利公開2009-88217

[專利文獻2]

日本未審查專利公開2009-158739

[專利文獻3]

日本未審查專利公開2009-176849

發明內容

隨著半導體器件容量的增加，已經考慮將多個半導體芯片放置在一個半導體器件中。在這種情況下，還需要電子設備(電子器件)的尺寸縮小，并且要求還減小放置在此電子設備中的半導體器件的外部尺寸。應相信如專利文獻1至3所述的那樣在作為基材的布線板上以多個層將多個半導體芯片(半導體元件元件)層壓在實現這一點方面是有效的。

近年來，對減小半導體器件的厚度的需求已經增加。因此，要求不僅減小基材的厚度，而且減小被放置在此基材上的每個半導體芯片(或從其獲取半導體芯片的每個半導體晶片)的厚度。然而，本發明人的研究揭示以下各項：如果在半導體晶片的厚度被減小至80μm或以下以獲取半導體芯片的情況下執行使用刀片的切片步驟，則發生芯片開裂。

專利文獻1至3全部描述被放置在基材上以多個層放置的每個半導體芯片的厚度是80μm或以下；然而，該文獻中沒有一個公開了用于獲取具有此類厚度的半導體芯片的具體技術。

本發明已經考慮了前述內容，并且其一個目的是提供一種使得可以獲取薄型半導體芯片的技術。

本發明的另一目的是提供一種使得可以制造小型半導體器件的技術。

通過本說明書中的描述和附圖，本發明的以上及其它目的和新穎特征將是清楚的。

以下是本在本申請中公開的本發明的代表性元件的主旨的簡要描述：

根據典型實施例中的制造半導體器件的方法，在用于獲取半導體芯片(第一半導體芯片、第二半導體芯片)的步驟中執行以下處理：在沿著連接半導體晶片的參考部分和半導體晶片的中心點的第一直線在第一方向上進行切片時，刀片從第一點朝著第二點前進。第一點位于半導體晶片的一側的第一部分中。第二點位于上述側的第二部分中并與第一點相對，在其之間具有第二直線。第二直線沿第一方向與第一直線正交并穿過半導體晶片的中心點。

以下是由在本申請中公開的本發明的代表性元件獲得的效果的主旨的簡要描述：

可以獲得薄型半導體芯片，在該薄型半導體芯片中有減少的芯片開裂。

附圖說明

圖1是圖示本發明的第一實施例中的半導體器件的結構示例的透視圖；

圖2是圖示圖1中的半導體器件的背面上的外部端子的布置示例的透視圖；

圖3是圖示具有透視的密封體的圖1所示的半導體器件的結構示例的平面圖；

圖4是沿著圖3的線A-A截取的放大剖視圖，圖示圖3中的半導體器件的結構示例；

圖5是圖示結合在圖1所示的半導體器件中的第一半導體芯片和第一粘合層的結構示例的透視圖；

圖6是結合在圖1所示的半導體器件中的第二半導體芯片和第二粘合層的結構示例的透視圖；

圖7是圖示結合在圖1所示的半導體器件中的布線板的結構示例的平面圖；

圖8是圖示圖7中的布線板的內部結構示例的放大局部剖視圖；

圖9是圖示在圖1所示的半導體器件的組裝中的切片之后的半導體晶片的結構示例的平面圖；