[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201110002450.0
• 申請日: 2011-01-07
• 公開（公告）號: CN102142398A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 武藤修康
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/60;H01L23/00;H01L21/98
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供具有上表面和與該上表面相反的下表面的基材；

(b)在步驟(a)之后，在所述基材的上表面上布置第一半導體芯片，所述第一半導體芯片具有第一前表面、在該第一前表面上形成的多個第一鍵合焊盤、和與該第一前表面相對的第一背表面；以及

(c)在步驟(b)之后，在第一半導體芯片上布置第二半導體芯片，以使所述第一鍵合焊盤從所述第二半導體芯片暴露出來，所述第二半導體芯片具有第二前表面、在該第二前表面上形成的多個第二鍵合焊盤、和與該第二前表面相對的第二背表面，

其中，通過以下步驟來獲得所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片：

(d1)提供以平面形狀為圓形的方式形成且具有在其中形成的參考部分的半導體晶片；以及

(d2)在沿著將所述半導體晶片的所述參考部分和中心點耦合的第一直線在第一方向上進行切割時，使刀片從所述半導體晶片的側邊的第一部分中的第一點朝著位于該側邊的第二部分中且與第一點相對的第二點前進，在所述第一點和所述第二點之間具有沿著第一方向的第二直線，所述第二直線與所述第一直線正交并穿過半導體晶片的中心點。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一半導體芯片的厚度大于所述第二半導體芯片的厚度。

3.根據權利要求2所述的制造半導體器件的方法，

其中，在所述基材的與所述第一半導體芯片平面地重疊的區域中形成多個布線圖案。

4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一半導體芯片通過第一粘合層被固定在所述基材的上表面上，

其中，所述第二半導體芯片通過第二粘合層被固定在所述第一半導體芯片上，以及

其中，所述第一粘合層的厚度大于所述第二粘合層的厚度。

5.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供基材，所述基材具有平面形狀為四邊形的上表面、沿著所述上表面的第一板邊形成的多個第一鍵合引線、沿著與第一板邊相對的第二板邊形成的多個第二鍵合引線、以及與所述上表面相反的下表面；

(b)在步驟(a)之后，在所述基材的上表面上布置具有平面形狀為四邊形的第一前表面、沿著該第一前表面的第一芯片邊形成的多個第一鍵合焊盤、和與該第一前表面相反的第一背表面的第一半導體芯片，使得所述第一芯片邊與與所述第一板邊之間的距離在平面圖中小于所述第一芯片邊與所述第二板邊之間的距離；

(c)在所述第一半導體芯片上布置具有平面形狀為四邊形的第二前表面、沿著該第二前表面的第二芯片邊形成的多個第二鍵合焊盤、和與該第二前表面相反的第二背表面的第二半導體芯片，使得所述第二芯片邊與所述第一板邊之間的距離在平面圖中小于所述第二芯片邊與所述第二板邊之間的距離，并且所述第一鍵合焊盤被從所述第二半導體芯片暴露；

(d)經由多個第一導線將所述第一鍵合引線分別電耦合到所述第一鍵合焊盤；

(e)經由多個第二導線分別將所述第一鍵合焊盤電耦合到所述第二鍵合焊盤；

(f)在步驟(e)之后，在所述第二半導體芯片上布置具有平面形狀為四邊形的第三前表面、沿著該第三前表面的第三芯片邊形成的多個第三鍵合焊盤、和與該第三前表面相反的第三背表面的第三半導體芯片，使得所述第三芯片邊與所述第二板邊之間的距離在平面圖中短于所述第三芯片邊與所述第一板邊之間的距離，并且所述第二鍵合焊盤被從所述第三半導體芯片暴露；

(g)在第三半導體芯片上布置具有平面形狀為四邊形的第四前表面、沿著該第四前表面的第四芯片邊形成的多個第四鍵合焊盤、和與該第四前表面相反的第四背表面的第四半導體芯片，使得所述第四芯片邊與所述第二板邊之間的距離在平面圖中小于所述第四芯片邊與所述第一板邊之間的距離，所述第二半導體芯片的基本上整個表面在平面圖中被所述第四半導體芯片覆蓋，并且所述第三鍵合焊盤被從所述第四半導體芯片暴露；

(h)經由多個第三導線將所述第二鍵合引線分別地電耦合到所述第三鍵合焊盤；以及

(i)經由多個第四導線將所述第三鍵合焊盤分別地電耦合到所述第四鍵合焊盤；

步驟(d)包括以下步驟：

(j1)在所述第一鍵合焊盤之一中形成第一凸塊電極；

(j2)在步驟(j1)之后，使用毛細管將所述第一導線的球部分接合到所述第一鍵合引線之一；

(j3)在步驟(j2)之后，將所述第一導線的一部分接合到所述第一凸塊電極的前表面，

其中，在步驟(j1)中，所述毛細管的頂端表面壓緊所述第一凸塊電極的前表面以在所述第一凸塊電極的前表面中形成斜面，該斜面的高度從所述第一半導體芯片的第一前表面的中心部分朝著所述第一芯片邊減小，

其中，在步驟(j3)中，所述第一導線的所述一部分接合到所述斜面，

步驟(e)包括以下步驟：

(i1)在所述第二鍵合焊盤之一中形成第二凸塊電極；

(i2)在步驟(i1)之后，使用所述毛細管將所述第二導線的球部分接合到所述第一導線的形成于所述第一鍵合焊盤之一上的一部分；

(i3)在步驟(i2)之后，將所述第二導線的一部分接合到所述第二凸塊電極的前表面，

其中，在步驟(i1)中，所述毛細管的頂端表面壓緊所述第二凸塊電極的前表面以在所述第二凸塊電極的前表面中形成斜面，該斜面的高度從所述第二半導體芯片的第二前表面的中心部分朝著所述第二芯片邊減小，并且

其中，在步驟(i3)中，所述第二導線的所述一部分被接合到所述斜面，